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• 20. 在 P 通道電晶體 MOSFET 如【圖 20】所示，下列敘述何者正確?(A) 必須在柵極(gate, G)施加較源極(source, S)正電壓，才會進入飽和區 (B) P 通道內負責主要導
• 21. 某電路中的一個二極體其 20℃ 的熱當電壓 VT=25mV，順向直流工作點電壓 VDQ=0.7V，電流 IDQ=2.5mA，則交流動態電阻 rd 為多少? (A) 280 Ω (B) 140
• 15. 如下圖所示電路，若 hfe=100，=1kΩ，及忽略不計，則電壓增益Av約為多少？ (A)-300 (B)-200 (C)150 (D)200
• 複選題47. 關於鑄造砂模流路系統功用的敘述，正確的選項為何？(A)豎澆道是為了容易澆鑄金屬液， 並防止雜質流入 (B)冒口是為了補充凝固過程收縮所需的金屬液 (C)冒口是為了輸送金屬液， 調節澆鑄壓
• 複選題48. 有關標稱號碼為 6330 的滾珠軸承，下列敘述何者錯誤？ (A)63 代表軸承系列記號 (B)03 代表尺度級序 (C)軸承內徑為 30mm (D)此軸承為單列斜角滾珠軸承。
• 複選題49. 下列有關剖面線的敘述，下列哪些選項正確？(A)剖面線不一定為45°線 (B)兩相鄰物件之組合圖，其剖面線方向及間隔須一致 (C)大型構件之剖視圖，其剖面線可將中間省略不繪， 僅需在輪廓邊
• 複選題50. 圓軸受純扭矩作用的基本假設，下列敘述何者錯誤？ (A)均勻材質 (B)應力與應變在比例限度內符合虎克定律 (C)圓軸受扭轉後，長度改變 (D)圓軸受扭轉後，橫截面會產生翹曲現象。
• 22. 【圖 22】所示的變壓器其變壓比為 10:2，將變壓器的中央位置接地，構成中央抽頭接地全波整流電路，輸入電壓 Vi = 100 sin100t，則所用的二極體的尖峰逆向電壓 PIV 為多少伏特
• 13. 如下圖所示,參數 K1 = 0.5mA\/V2、K2 = 2mA\/V2且臨界電壓= 4V、= 1V,下列敘述何者正確? (A)第一級的直流工作點= (6V,2mA) (B)第二級的直流工
• 23. 稽納二極體最常應用於何種電路中? (A) 放大電路 (B) 整流電路 (C) 穩壓電路 (D) 檢波電路
• 24. 有一個濾波電路，在輸出端測量得到的電壓平均值 Vdc=15V，漣波電壓有效值為 Vr(rms)=0.5V，則本濾波電路的漣波因數為多少? (A) 1.66% (B) 3.33% (C) 6.6
• 25. 有關理想運算放大器 OPA 特性，下列敘述何者錯誤? (A) 輸入阻抗無窮大 (B) 輸出阻抗為 0 (C) 共模拒斥比 CMRR 為 0 (D) 輸入電流為 0
• 26. 【圖 26】所示的運算放大器電路中，Rf=100 kΩ，R1 = 10 kΩ；假若輸入電壓 vi= 2 mV，則 OPA 的輸出電壓為多少?(A) -22 mV (B) 20 mV (C) 2
• 16. N 通道增強型 MOSFET 欲工作於飽和區時，需符合 (A) (B) (C) (D)
• 27. LED 發光的顏色主要與下列何者有關? (A) 外加電壓大小 (B) 通過的電流大小 (C) 所使用的材料之能帶間隙 (D) 外加電壓頻率
• 28. 電晶體工作於線性放大電路狀態時，其射極電流 IE、基極電流 IB、集極電流IC的關係為? (A) IB=IE+IC (B)IC=βxIE (C) IE=βxIC (D)IC=βxIB
• 29. 【圖 29】的正弦交流電壓波型，其頻率為多少?(A) 10 Hz (B) 20 Hz (C) 50 Hz (D) 50 rad
• 30. 在本質半導體中，由於外加電壓而產生的電流，稱為: (A) 漂移電流 (B) 擴散電流 (C) 電子流 (D) 漏電流
• 31. 有一 P 通道增強型 MOSFET，該晶體的臨界電壓 VT=-3V，當輸入電壓 VGS=-5V 時，MOSFET 工作於夾止飽和區，參數 k=0.5mA\/V²，則輸出的直流偏壓電流 IDQ
• 32. 在 N 型半導體中主要的多數導電載體為? (A) 帶正電的電子 (B) 帶負電的電子 (C) 帶正電的電洞 (D) 帶負電的電洞
• 33. 【圖 33】所示的變壓器電路，N1:N2=5:1，假設在輸入端 V1 施加 10V 的直流電，則輸出端的電壓為多少?(A) 0.4 V (B) 2.0 V (C) 50 V (D) 0 V
• 34. 【圖 34】所示的電晶體放大電路，集極電流IC為多少安培?(A) 0.1 mA (B) 0.107 mA (C) 5.0 mA (D) 10.0 mA
• 35. 有一正弦波電壓 v(t) = 100 sin(5,000t) mV，則此交流電壓的有效值為: (A) 141 V (B) 100 V (C) 70.7 V (D) 50 V
• 36. 由電晶體所組成的達靈頓對放大電路，下列敘述何者錯誤? (A) 輸入阻抗高、輸出阻抗低 (B) 電壓放大率接近於 1、但小於 1 (C) 電壓放大率遠大於 1，但功率放大率小於 1 (D) 電流
• 17. 如下圖所示電路，假設 N 通道 MOSFET 電晶體工作點之＝0.6mA，臨界電壓＝1V，電容值視為無窮大，試求其小訊號電壓增益為？ (A)-10 (B)-8 (C)-6 (D)-4