問題詳情

一、理想矽pn二極體,p區摻雜濃度Na = 8×1014 cm-3,n區摻雜濃度Nd = 4×1014 cm-3,矽之介電係數ϵsi = 11.7 ϵo,其中ϵo = 8.85×10-14 F/cm,在p區之空乏區寬度為Wp,在n區之空乏區寬度為Wn,常溫下 1 kT/q = 0.0259 V,矽之本質載子濃度為 ni = 1.5×1010 cm-3。
【題組】 ⑴請求出Wp/Wn =?(10 分)

參考答案