問題詳情
一、圖一為類似 NMOS(Pseudo NMOS)邏輯電路,已知 VDD = 2.5 V,當 vI = vH 時,Q2(NMOS)的 VDS2 = 0.2 V,且此電路最大消耗功率為 PDD = 0.20 mW;Q1(PMOS) 的 互 導 參 數 ( transconductance parameter )

, 臨 界 電 壓 ( thresholdV voltage)VTP = −0.6 V;Q2(NMOS)的互導參數

,臨界電壓 VTN = 0.6 V:

【題組】 ⑴試求 IDD =?(5 分)
參考答案
答案:A
難度:非常簡單0.934132
統計:A(156),B(1),C(0),D(3),E(0)