問題詳情

22 矽晶接面二極體的等效電路模型中的擴散電容（Diffusion capacitance），由下列那一項物理現象所形成？
(A)接面空乏區
(B)金屬和半導體所形成的歐姆接觸
(C)接面的崩潰效應
(D)二極體順偏時的注入電荷

參考答案

答案：D
難度：適中0.553191
統計：A(13),B(5),C(0),D(26),E(0) #
個人：尚未作答 書單：沒有書單，新增