問題詳情

19 如圖所示放大器，若電晶體操作於飽和區，電流源為理想，且忽略元件之寄生電容效應，下列敘述何者錯誤？
(A)增加 Vbias將提高放大器之電壓增益
(B)增加 C 值可降低放大器之低頻 3-dB 頻率ωL
(C)增加電晶體之 W/L 可提高放大器之電壓增益
(D)增加 RL可提高放大器之電壓增益

參考答案

答案：A
難度：簡單0.791667
統計：A(57),B(5),C(6),D(4),E(0)

用户評論

【asd113038】評論

增加Vb不是會增加Vgs所以ID和gm 就會上升???? 哪裡錯

【我只是略懂】評論

這種電路ID已經固定 如果VGS上升 K就必須下降Id=k*(VGS-Vt)K下降gm就下降  gm=(2/Vt)(Id*K)1/2