【評論主題】【題組】３照整個文章來看，鄒族傳統上：(A)把死去的親人葬在公墓(B)將死者埋葬後，用石頭圍著，並立上木板做的墓碑(C)將死者裝在那個叫棺材的木盒裡，隨處埋葬(D)以上皆非
【評論內容】
B的選項也太凹了吧...並跟再 玩文字遊戲喔...
【評論主題】有關於NPN雙極性電晶體之敘述下列何者錯誤?(A)於順向主動區時，VB>VE(B)於飽和區時，VCE=VCC(C)截止時，開關OFF(D)一般而言，V(BE)之值約為0.6~0.7V
【評論內容】這題是電子學才對B錯誤 飽和區VC........
【評論主題】39 如圖所示電晶體放大器電路加上旁路電容 CE 後，放大器的中頻段電壓增益會有什麼變化？(A)變無窮大 (B)變小 (C)不變 (D)變大
【評論內容】
這題跟頻率響應無關 就當成一般情況下有RE跟無RE比較的意思 所以有CE把RE短路等於提升AV
【評論主題】26 如圖所示之放大器電路，假設電晶體 M 之參數如下：μnCoxW/L= 0.2 mA/V2，Vth = 2 V，且 λ = 0；求此放大器電路之小信號輸入電阻 Ri 之值為何？ (A)416 kΩ
【評論內容】
解題流程是這樣 第一步驟大概就去了三四分鐘後面三步驟列式兼計算大概也要個兩三分鐘，考場遇到還是直接猜，把時間留下一題比較好。
【評論主題】20 「作家是個衝突體，既愛和人親近，又與人疏離；不特別熱愛人，則難潛入讀者心靈；不冷眼無情，作家無能解讀時代的特性，洞穿人性的共同想望苦悶；作家最常做的事不是創作或發明，當代人心中總⬀在著
【評論內容】
這種不...就不...的句子 看多了真的很頭暈...為甚麼講話一定要這麼婉轉...
【評論主題】19 如圖所示放大器，若電晶體操作於飽和區，電流源為理想，且忽略元件之寄生電容效應，下列敘述何者錯誤？(A)增加 Vbias將提高放大器之電壓增益(B)增加 C 值可降低放大器之低頻 3-dB 頻率ω
【評論內容】
這種電路ID已經固定 如果VGS上升 K就必須下降Id=k*(VGS-Vt)
K下降gm就下降 gm=(2/Vt)(Id*K)1/2
【評論主題】17 關於下列之放大器，若電晶體操作於飽和區，且電流源為理想，下列敘述何者錯誤？(A)Ibias增加，若電晶體維持操作於飽和區，則其電壓增益越大(B)Cs=0 則其電壓增益為 0(C)若 W/L 減少
【評論內容】
(B)不考慮頻率響應時，一般旁路電容都是設C極大令其交流分析時短路接地，
如果Cs=0就開路了，這樣就沒電壓增益了。
(D)直流分析 VGD<=Vt 由於電流固定 若RD上升 則VGD上升
這樣會變得比較接近歐姆區
【評論主題】14 右圖所示直流電路中之電阻 R 可由零歐姆變至無限大，試求 5Ω負載可能消耗之最大功率： (A) 80 W(B) 40 W(C) 20 W(D) 10 W
【評論內容】
如果R=0(短路) 那整個迴路的壓降都給RL了 當然會最大...
【評論主題】16 圖所示為一具有理想放大器之濾波器，以下何者為錯誤？ (A)全通（All Pass）濾波器 (B)當頻率趨近於零，VOUT /VIN相位趨近於 -180 度 (C)|VOUT /VIN|不受
【評論內容】
詳解就是推轉移函數，就可以一項一項代入檢驗，參加選擇題的考試建議就背起來，因為考場推完就浪費很多時間了
【評論主題】21 一條通有 2 安培的長直導線，距離其多遠處，可量得 2 安培／公尺的磁場強度？(A) 100 cm (B) 32 cm (C) 16 cm (D) 1 cm
【評論內容】
H=I/2Pi*d
d=16cm
【評論主題】24 如圖所示之電路，若 MOSFET 操作在飽和區（Saturation Region）且轉導值（gm）為 1 mA/V，輸出阻抗（ro）為 10 kΩ，試求 Vo / Vi=？(A)-5.25(B
【評論內容】
RO=RD//(ro【1+gmro】RS)→ 21/21K=10.5K
AV=10.5K/【(1/gm)+RS】→-10.5/2=-5.25
【評論主題】24.下列哪一選項與「夏蟲也為我沉默，沉默是今晚的康橋」屬同一季節？ (A)月落烏啼霜滿天，江楓漁火對愁眠 (B)水面清圓，一一風荷舉 (C)近寒食雨草萋萋，著麥苗風柳映堤 (D)地爐茶鼎烹活火，高歌
【評論內容】
夏蟲→夏天
荷花 荷風→夏天
【評論主題】如【圖24】電路及其BJT電晶體的特性曲線【圖2-2】【題組】15,，假設原來的工作點為Q點，當Re電阻值變小 時，其新的工作點應近似於【圖2-2】中的那一點？(A) A 點(B) B 點(C) C
【評論內容】
莫非指的是交流電阻小re re=VT/IE 就選得出A
【評論主題】40.下列措施，何者不能防止靜電對電子元件之破壞？(A)人員帶接地手環(B)穿平底膠鞋(C)使用離子吹風機 (D)桌面舖導電性桌墊
【評論內容】
應該是 穿絕緣的鞋子 無法接地把身上的靜電排掉 碰觸電子元件時會有電位差產生損害
這樣比較正確些
【評論主題】24 如圖所示放大器，若 BJT 電晶體操作於順向主動區（Forward Active Region）且忽略爾利效應（Early Effect），Vi為輸入，Vo為輸出，下列敘述何者錯誤？ (A)該放
【評論內容】
這個組態一般電流增益都約莫是一 但有很大電壓增益 所以一般都是討論電壓
【評論主題】32 分析以下之電路，若 BJT 操作在順向主動區（forward active region）且轉導值 gm為 10 mA/V，β = 10，MOSFET 之轉導值 gm = 1 mA/V，忽略元件
【評論內容】
這題哪裡可以看出Ro? 不是都忽視ro了
一個是CE一個是CD 要怎麼有1/gm的輸出阻抗?
另外B是甚麼?看不懂這個算式...
這題最快解法是用電流狂噴法
{Vi/(1/gm)}*{10*/(10+1)}*10=IoMOS的1/gm=1故消去
輸入電流*分流後流進基極的電流*BJT電流放大倍率等於Io
移項後可得Vi/Io=100/11 略正負號
【評論主題】24.下列哪一選項與「夏蟲也為我沉默，沉默是今晚的康橋」屬同一季節？ (A)月落烏啼霜滿天，江楓漁火對愁眠 (B)水面清圓，一一風荷舉 (C)近寒食雨草萋萋，著麥苗風柳映堤 (D)地爐茶鼎烹活火，高歌
【評論內容】
夏蟲→夏天
荷花 荷風→夏天
【評論主題】如【圖24】電路及其BJT電晶體的特性曲線【圖2-2】【題組】15,，假設原來的工作點為Q點，當Re電阻值變小 時，其新的工作點應近似於【圖2-2】中的那一點？(A) A 點(B) B 點(C) C
【評論內容】
莫非指的是交流電阻小re re=VT/IE 就選得出A
【評論主題】40.下列措施，何者不能防止靜電對電子元件之破壞？(A)人員帶接地手環(B)穿平底膠鞋(C)使用離子吹風機 (D)桌面舖導電性桌墊
【評論內容】
應該是 穿絕緣的鞋子 無法接地把身上的靜電排掉 碰觸電子元件時會有電位差產生損害
這樣比較正確些
【評論主題】24 如圖所示放大器，若 BJT 電晶體操作於順向主動區（Forward Active Region）且忽略爾利效應（Early Effect），Vi為輸入，Vo為輸出，下列敘述何者錯誤？ (A)該放
【評論內容】
這個組態一般電流增益都約莫是一 但有很大電壓增益 所以一般都是討論電壓
【評論主題】39 如圖所示電晶體放大器電路加上旁路電容 CE 後，放大器的中頻段電壓增益會有什麼變化？(A)變無窮大 (B)變小 (C)不變 (D)變大
【評論內容】
這題跟頻率響應無關 就當成一般情況下有RE跟無RE比較的意思 所以有CE把RE短路等於提升AV
【評論主題】26 如圖所示之放大器電路，假設電晶體 M 之參數如下：μnCoxW/L= 0.2 mA/V2，Vth = 2 V，且 λ = 0；求此放大器電路之小信號輸入電阻 Ri 之值為何？ (A)416 kΩ
【評論內容】
解題流程是這樣 第一步驟大概就去了三四分鐘後面三步驟列式兼計算大概也要個兩三分鐘，考場遇到還是直接猜，把時間留下一題比較好。
【評論主題】24 有一 2 kΩ 電阻器串聯一 100 mF 電容器，電容器兩端電壓為 6 V，有一 20 mA 的電流源串加於此電路上，使電容器電壓繼續上升，試求經過 60 秒後，電容器兩端的電壓值約為何？(A
【評論內容】
不懂哪裡不懂
【評論主題】24 有一 2 kΩ 電阻器串聯一 100 mF 電容器，電容器兩端電壓為 6 V，有一 20 mA 的電流源串加於此電路上，使電容器電壓繼續上升，試求經過 60 秒後，電容器兩端的電壓值約為何？(A
【評論內容】
KEY錯
V=Q/C=1.2/0.1=12V
再加原始6V=18V
【評論主題】24 有一 2 kΩ 電阻器串聯一 100 mF 電容器，電容器兩端電壓為 6 V，有一 20 mA 的電流源串加於此電路上，使電容器電壓繼續上升，試求經過 60 秒後，電容器兩端的電壓值約為何？(A
【評論內容】
Q=I*T=1.2
V=Q/C=12V
加上初始電壓6V=18V
【評論主題】21 相對導磁係數 500 的鐵心，其截面積為 25 平方公分，垂直通過 2π × 106 磁力線，則該處之磁場強度為多少安培/公尺？(A) 40π (B) 50π (C) 4000 (D) 4000
【評論內容】
MKS跟CGS單位轉換
【評論主題】20 「作家是個衝突體，既愛和人親近，又與人疏離；不特別熱愛人，則難潛入讀者心靈；不冷眼無情，作家無能解讀時代的特性，洞穿人性的共同想望苦悶；作家最常做的事不是創作或發明，當代人心中總⬀在著
【評論內容】
這種不...就不...的句子 看多了真的很頭暈...為甚麼講話一定要這麼婉轉...
【評論主題】26 依我國現行刑事訴訟法之規定，刑事案件判決確定後，若發現該案件之審判係違背法令者，何人得向最高法院提起非常上訴？(A)法務部部長 (B)高等法院院長(C)不服判決之當事人 (D)最高法院
【評論內容】
非常上訴為檢察總長職權
【評論主題】21.花美男將英國、美國與我國中央政府體制的特點加以比較，但因上課不專心，表格中出現錯誤。請協助花美男找出錯誤之處。 (A)甲乙丙 (B)甲乙丁 (C)甲丙戊 (D)乙丁戊。
【評論內容】
我看不出甲哪裡錯耶!?
【評論主題】40 如圖所示放大器（其偏壓未示），若電晶體的轉導參數為 gm，輸出電阻為 ro，則此放大器的輸出電阻 RO約為何？(A) RC(B) RE(C) ro+ RC(D) ro+ RE
【評論內容】
RC//ro ro通常極大 故=RC
題目選項都很短 顯然不需要求到精確解
【評論主題】37 如圖所示波形產生電路，U1為理想運算放大器，且飽和電壓（Saturation voltage）為 +10 V 與 -10 V。對於電容 C 兩端電壓 VC可能之波形，下列敘述何者正確？(A)接近
【評論內容】
VC接近三角波(對電容充電) VO為方波
【評論主題】28 共源極放大器之低頻 3-dB 頻率，通常以下列何種電容為主要考慮因素？(A)輸入端耦合電容 (B)輸出端耦合電容 (C)源極旁路電容 (D)電晶體內部電容
【評論內容】
低頻不良 耦合或旁路電容影響
但源極(射極)旁路電容通常影響較大 故主宰極點
【評論主題】27 有關 MOSFET 的單一增益頻率（Unity-gain frequency）的敘述，下列何者正確？(A)單一增益頻率值與外部電路元件相關 (B)單一增益頻率值與轉導值成反比(C)共源極架構中短
【評論內容】
單位增益頻率 定義為電流增益唯一時的頻率 故C正確
(A)無關
(B)正比 單位增益頻率=gm/2pi(Cgs+Cdg)
【評論主題】26 若 MOSFET 電晶體操作於飽和區（Saturation Region），有關其小訊號模型的敘述，下列何者錯誤？(A)電流 ID越大，則轉導值（gm）越小(B)Cgs＞Cgd(C)ID越大，r
【評論內容】
(A)gm=ID/VT 故A錯
(B)敘述正確 但通常經過米勒效應CIN將遠大於Cgs
(C)VA/ID=ro 敘述正確
(D)gm=2*K(Vov) 敘述正確
PS:其實gm=ID電流式子對Vgs偏微分等於gm
【評論主題】20 在下列 MOS 電晶體放大器組態中，以那一種放大器具有最小的輸入電阻？(A)共源（CS）放大器 (B)共閘（CG）放大器 (C)共汲（CD）放大器 (D)疊接（Cascode）放大器
【評論內容】
CG輸入阻抗為1/gm 比其他組態輸入阻抗低