問題詳情
26 若 MOSFET 電晶體操作於飽和區（Saturation Region），有關其小訊號模型的敘述，下列何者錯誤？
(A)電流 ID越大，則轉導值（gm）越小
(B)Cgs＞Cgd
(C)ID越大，ro越小
(D)過驅電壓越大（Overdrive Voltage），則轉導值（gm）越大
參考答案
答案：A
難度：簡單0.826667
統計：A(62),B(3),C(5),D(5),E(0)
用户評論
【我只是略懂（106/107】評論
(A)gm=ID/VT 故A錯(B)敘述正確 但通常經過米勒效應CIN將遠大於Cgs(C)VA/ID=ro 敘述正確(D)gm=2*K(Vov) 敘述正確 PS:其實gm=ID電流式子對Vgs偏微分等於gm