問題詳情

32 分析以下之電路，若 BJT 操作在順向主動區（forward active region）且轉導值 gm為 10 mA/V，β = 10，MOSFET 之轉導值 gm = 1 mA/V，忽略元件之輸出阻抗 ro，試求整體轉導增益 Io/Vi？
(A) 100/11 mA/V
(B) 1000/11 mA/V
(C) 11 mA/V
(D) 100 mA/V

參考答案

答案：A
難度：適中0.47541
統計：A(29),B(3),C(9),D(2),E(0)

用户評論

【用戶】asd113038

【年級】高二上

【評論內容】因為1F後面乘10是gm不是B所以答案沒錯啊                 Vo             --------    Io          Ro                        1------- = ------  = AV x  ---------                   Vi           Vi                       Ro              1                        BRo= ----------  x --------------             gm                    B+1答案沒1000/121可以選  那就約略解帶Ro=1/gm

【用戶】u9952003

【年級】國一上

【評論內容】算出來是 -(100/11) A/V 答案卻是 mA/V ??

【用戶】我只是略懂

【年級】大一下

【評論內容】 這題哪裡可以看出Ro? 不是都忽視ro了 一個是CE一個是CD 要怎麼有1/gm的輸出阻抗?另外B是甚麼?看不懂這個算式...這題最快解法是用電流狂噴法{Vi/(1/gm)}*{10*/(10+1)}*10=IoMOS的1/gm=1故消去輸入電流*分流後流進基極的電流*BJT電流放大倍率等於Io移項後可得Vi/Io=100/11 略正負號

【用戶】asd113038

【年級】高二上

【評論內容】用IE去推IC  從射極看過去的電阻約為1/gm 在乘10/11就是IC囉只是想解釋pole大最後乘的那個10應該是gm所以單位才沒錯B是BJT的電流增益上面我自己解讀1樓算式的看法拉                                                                                         Vi*gm1*(10//Rpi)*B                                          我自己是用IO=(Vo1/Rpi)*B= -----------------------                                                             Rpi    IO           1m*(10//1)k*10          100--------= ...