問題詳情

17 關於下列之放大器，若電晶體操作於飽和區，且電流源為理想，下列敘述何者錯誤？
(A)Ibias增加，若電晶體維持操作於飽和區，則其電壓增益越大
(B)Cs=0 則其電壓增益為 0
(C)若 W/L 減少則電晶體可能從飽和區進入三極管區（triode region）
(D)若 RD增加則電晶體可能從飽和區進入三極管區（triode region

參考答案

答案：C
難度：適中0.435714
統計：A(15),B(34),C(61),D(16),E(0)

用户評論

【asd113038】評論

(A)ID增加 gm增加 增益-gmRD增加(C)W/L減少會使ID減少 VD 變大 趨近飽和(D)RD增加 VD下降 趨近三極(B)求高手解答

【lexmvrk】評論

看不懂

【一定要上榜!!!】評論

請問一下有大大可解釋一下(B)選項嗎?另外(D)選項 RD增加,Vo不是變得更小,不是更趨近飽和嗎 怎麼會趨近三極???謝謝!!!

【我只是略懂】評論

(B)不考慮頻率響應時，一般旁路電容都是設C極大令其交流分析時短路接地，    如果Cs=0就開路了，這樣就沒電壓增益了。(D)直流分析 VGD<=Vt 由於電流固定 若RD上升 則VGD上升      這樣會變得比較接近歐姆區