問題詳情

17 在室溫下，考慮一pn接面矽半導體，p側之電子濃度為 1×107cm-3，n側之電洞濃度為 1×105cm-3，當施加一逆向偏壓時，空乏區之分布應為下列何者？
(A)大部分空乏區位於 n 側
(B)大部分空乏區位於 p 側
(C)n 側空乏區與 p 側空乏區一樣大
(D)p 側沒有空乏區

參考答案

答案：B
難度：適中0.521739
統計：A(7),B(12),C(1),D(0),E(0)