問題詳情

二、於圖二中，2 個NMOS的電晶體Q1及Q2之臨界電壓皆為 0.6V，其中電晶體Q1及Q2的電子移動率與氧化層電容乘積皆為μnCox=200μA/V2，而Q1及Q2的閘極寬度與閘極長度的比值各別為(W/L)1=5 與(W/L)2=6.25，忽略短通道長度調變效應（λ=0），試求當ID1=80 μA時，


【題組】⑴電阻值R=？

參考答案

答案：A
難度：適中0.557789
統計：A(111),B(13),C(9),D(31),E(0) #
個人：尚未作答書單：Adler

用户評論

【用戶】Ivy Shiue

【年級】國三下

【評論內容】A:May是存在主義學者