資訊推薦

• 22 圖為二極體箝位器，輸出波形的頻率為何？ (A) 60 Hz (B) 120 Hz (C) 30 Hz
• 13 圖 B 所示為圖 A 移去 10 Ω 後、自端點 a-b 所視之戴維寧等效電路，求戴維寧等效電壓為多少伏特（V）？(A) 40(B) 48 (C) 60 (D) 80
• 40 欲比較三種生產法之每週平均產量，蒐集了以下資料與部分電腦結果。在 α = 0.05 之下，試問此三種方法之每週平均產量否有顯著差異？ (A)沒有顯著差異
• 23 如圖所示之電路，若 NPN 電晶體 β=100、VBE =0.7 V，下列敘述何者正確？ (A) IE =4.8 mA (B) IB =0.2 mA
• 14 如圖所示的電路，等效電阻大小為何？(A) 45 Ω(B) 50 Ω(C) 55 Ω(D) 60 Ω
• 24 有一如圖之 BJT 放大器，若 VBE =0.7 V，則有關對其輸入迴路特性之敘述，下列何者錯誤？ (A)其電晶體的輸入特性（IB-VBE）的直流負載線電流端截點為 IB =20 μA
• 25 對於圖中的偏壓電路，RC =20 kΩ、RB =800 kΩ、VCC =10.7 V、VBE =0.7 V、IB =5 μA，其 β 最接近值為何？ (A) 50
• 15 如圖所示電路，請依最大功率轉移定理分析，若負載獲致之最大功率為 30 mW，R 為多少歐姆（Ω）？(A) 50 (B) 100 (C) 15
• 26 如下圖所示之 N 通道增強型 MOSFET 電路，已知 ID =20 mA，則 VGS 約為何？ (A)3V (B)2V
• 27 有關矽空乏型 MOSFET 之敘述，下列何者錯誤？ (A) n 通道的空乏型 MOSFET 是使用 p 型基座（substrate） (B) n 通道的空乏型 MOSFET
• 28 若雙極性接面電晶體（BJT）工作在主動區（Active Region）的電流放大率為 β，下列敘述何者正確？ (A) β 值大小與溫度無關 (B)相同電路之下，β 較小的電
• 29 有關 BJT 的小信號模型，下列敘述何者錯誤？ (A) BJT 的工作點是由元件特性曲線與負載線的交點決定 (B) BJT 的小信號模型參數與工作點相關 (C)由
• 16 如圖所示之電路，設 R1 =8 kΩ，R2 =2 kΩ，且電流源可供應 10 mA 之電流，求 I1 為何？(A) 1 mA (B) 2 mA (
• 17 應用諾頓定理求線性電路之等效阻抗時，下列敘述何者正確？ (A)獨立電壓源、獨立電流源皆開路 (B)獨立電壓源、獨立電流源皆短路 (C
• 18 某電壓源之開路電壓為 10 V，但接上 200 Ω 之負載後，負載兩端之電壓為 8 V，則電壓源之內阻為多少歐姆（Ω）？ (A) 10 (B) 25
• 19 某電壓表滿刻度電壓為 100 V、內阻為 100 kΩ，若欲擴大量測電壓範圍為 1000 V 時，則應如何處理？ (A)並聯 10 kΩ 電阻 (B)並聯 900 kΩ 電阻
• 30 如圖所示之 RC 耦合串級放大器中，兩個電晶體之 β=49、VBE =0.7 V，VCC =10.7 V、RB1 =RB2 =150 kΩ、 RC1 =2 kΩ、RC2 =RE1=
• 20 如圖所示，計算電路中之 i1 值為何？(A)1A (B)2A (C)3A(D)4A
• 31 如圖，Q1 的 β1 =50，Q2 的 β2 =100，兩個電晶體的 VBE =0.7 V 且 ro 都不計；求（IB1 及 VB2）？ (A)（2 μA 及 1.5 V） (B
• 32 某 MOS 場效電晶體的電流 ID =500 μA、參數 λ=0.025 V-1 ，則其輸出阻抗 ro 為何？ (A) 80 kΩ (B) 50 kΩ
• 33 有關共集極（Common Collector）放大器組態之特性，下列敘述何者正確？ (A)低輸入阻抗
• 34 一 n 通道金氧半場效電晶體的參數為：Cgs =25 fF、Cgd =2 fF、W\/L=16、μnCox =200 μA\/V2，操作在電 流為 100 μA，其單一增益（U
• 35 若一直接耦合串級放大器電路，其各諧波失真百分率分別為 D2 =40%、D3 =26%、D4 =15%，其餘諧波失真可忽略不計，則該串級放大器之總諧波失真百分率 DT 約為何？ (A)
• 36 555 計時器的內部有一個 RS 正反器。下列關於此 RS 正反器的敘述何者錯誤？ (A)此正反器的兩個輸入訊號分別來自於兩個比較器的輸出結果 (B)當其兩個輸入訊號都是低
• 37 當變壓器耦合串級放大器之電路阻抗完全匹配時，下列敘述何者正確？ (A)電壓增益最大 (B)電流增益最大 (C)功率增益最大 (D)功率增益最小