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• 22.一條十公里長的傳輸線，其損耗為2 dB/Km，若發射端之輸出功率為1 W 之信號，經過此傳輸線後其接收功率為何？(A) -20 dB (B) -21 dBm (C) -20 dBW (D) -5
• 23.有關編碼技術的敘述，下列何者錯誤？(A)類比通訊系統無法使用通道編碼(channel coding)技術(B)資料編碼(Source coding)和通道編碼的技術都會增加資料傳送位元數(C)使
• 24.為了防止在傳送資料時有一連串錯誤的出現，通常使用什麼技術來解決？(A)通道編碼(channel coding) (B)功率控制(power control)(C)交錯(interleaving)
• 25.若以涵蓋率為考量，使用下列哪一個頻段的蜂巢式系統所需之基地站台數最多？(A) 700 MHz (B) 900 MHz (C) 1.8 GHz (D) 2.6 GHz
• 26.下列何種通訊標準未使用 OFDM 技術？(A)數位電視 DVB (B) Bluetooth (C) IEEE802.11a (D) WiMAX
• 27.假設 SNR=15，訊號頻寬為 10 KHz，請問此通道之容量為何？(A) 20 Kbps (B) 40 Kbps (C) 80 Kbps (D) 150 Kbps
• 28.下列何者不是正交分頻多工(OFDM)技術之優點？(A)對多路徑衰落的抗拒力佳 (B)等化器容易設計(C)有較好的頻寬使用效率 (D)接收機與發射機不須同步
• 29. AM 調變器其輸出訊號為 U(t)=5 cos 1800πt+20 cos 200πt+5 cos 2200πt，則其載波訊號 c(t)的頻率為何？(A) 900 Hz (B) 1000 Hz
• 30.發射機之發射功率為 20 瓦特，若發射端的天線增益為 12 dB，纜線接頭等相關的損耗為 5 dB， 請問發射端之等效發射功率 EIPR(Equivalent Isotropically Rad
• 31.已知矽在溫度 300 K 時的本質載子濃度(intrinsic carrier concentration) ni為 1.5×1010cm−3，若摻雜的受體(acceptor)濃度 na為 10
• 32.某 pn 接面二極體在溫度 300 K、逆向偏壓(revers-bias)電壓為 1 V 時的電流為 10−13 A，則在同樣溫度下、逆向偏壓電壓為 0.5 V 時的電流為何？(A) 2.5×1
• 33.某一齊納二極體(Zener diode)流過 5 mA 時的跨壓為 3.65 V，若流過 10 mA 時的跨壓為 3.70 V，則其等效串聯電阻(equivalent series resist
• 34.假設交流電源vs= 110 sin(2✖ 60t) V，則經半波整流後的平均輸出電壓為何？(A)110 V (B) 110 V (C)110 / πV (D)110 /πV
• 35.如【圖 35】所示之二極體截波器(clipper)，若 vi = 10 sin (2π×60t) V 且 VB = 8 V，則 vo的最大值為何？ (A) 0 V(B) 2 V(C) 10 V(
• 36.根據穩壓率的定義： ，若 VO,nor = 5 V、VO,max = 5.5 V，請問下列 VO,min的值符合 5%的穩壓率要求者為何？(A) 5.0 V (B) 5.1 V (C) 5.2
• 38.某 BJT 的 BE 接面為逆向偏壓、BC 接面為順向偏壓，則該 BJT 的操作模式為：(A)順向作用區(forward active region) (B)截止區(cutoff region)
• 39.某 BJT 的共射極電流增益(common-emitter current gain) β = 99，則其共基極電流增益(common-base current gain) α為何？(A) 0.
• 42.如【圖 42】所示以分壓器偏壓之 BJT 共射極(common-emitter, CE)放大器，則下列敘述何者錯誤？(A)計算直流偏壓條件時，C1與 C2可視為開路(B)集極到基極間電壓約等於
• 43.有關 BJT 的共極集(common-collector, CC)放大器，下列敘述何者錯誤？(A)輸入電阻小、輸出電阻大(B)又稱為射極隨耦器(emitter follower)(C)適合作為緩
• 45.有關接面場效電晶體(junction field effect transistors, JFET)結構的敘述，下列何者錯誤？(A)只含一個 pn 接面，是一種單極性元件(unipolar de
• 46.一 N 型 JFET 的夾止電壓(pinch-off voltage) VP為−5 V，當操作於歐姆區(ohmic region)或三極區(triode region)、且 VGS為一固定值−1
• 47.如【圖 47】所示的 JFET 電路，IDSS = 12 mA 且 VP = −3 V，請問下列 RD值何者可以使該 JFET 操作於夾止區？(A) 0.9 kΩ (B) 1.1 kΩ (C)
• 48.有關金屬氧化物半導體場效電晶體(metal-oxide semiconductor field effect transistors, MOSFET)的敘述，下列何者錯誤？(A)閘極與半導體通道
• 49.一空乏型 NMOSFET 的 IDSS = 9 mA、VP = −3 V，當 VGS = 1 V、VDS = 4 V 時，ID值為何？(A) 1 mA (B) 4 mA (C) 9 mA (D)
• 50.一空乏型 NMOSFET 的 IDSS = 9 mA、VP = −3 V，當 VDS = 4 V 時，則 VGS = 1 V 與−1 V 的 ID比值為何？(A) 1 : 1 (B) 16 :