【用戶】william
【年級】大一下
【評論內容】動態隨機存取記憶體（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是一種半導體記憶體，主要的作用原理是利用電容內儲存電荷的多寡來代表一個二進位位元（bit）是1還是0。由於在現實中電晶體會有漏電電流的現象，導致電容上所儲存的電荷數量並不足以正確的判別資料，而導致資料毀損。因此對於DRAM來說，周期性地充電是一個無可避免的要件。由於這種需要定時重新整理的特性，因此被稱為「動態」記憶體。相對來說，靜態記憶體（SRAM）只要存入資料後，縱使不重新整理也不會遺失記憶。與SRAM相比，DRAM的優勢在於結構簡單——每一個位元的資料都只需一個電容跟一個電晶體來處理，相比之下在SRAM上一個位元通常需要六個電晶體。正因這緣故，DRAM擁有非常高...
【用戶】william
【年級】大一下
【評論內容】動態隨機存取記憶體（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是一種半導體記憶體，主要的作用原理是利用電容內儲存電荷的多寡來代表一個二進位位元（bit）是1還是0。由於在現實中電晶體會有漏電電流的現象，導致電容上所儲存的電荷數量並不足以正確的判別資料，而導致資料毀損。因此對於DRAM來說，周期性地充電是一個無可避免的要件。由於這種需要定時重新整理的特性，因此被稱為「動態」記憶體。相對來說，靜態記憶體（SRAM）只要存入資料後，縱使不重新整理也不會遺失記憶。與SRAM相比，DRAM的優勢在於結構簡單——每一個位元的資料都只需一個電容跟一個電晶體來處理，相比之下在SRAM上一個位元通常需要六個電晶體。正因這緣故，DRAM擁有非常高...
【用戶】william
【年級】大二上
【評論內容】動態隨機存取記憶體（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是一種半導體記憶體，主要的作用原理是利用電容內儲存電荷的多寡來代表一個二進位位元（bit）是1還是0。由於在現實中電晶體會有漏電電流的現象，導致電容上所儲存的電荷數量並不足以正確的判別資料，而導致資料毀損。因此對於DRAM來說，周期性地充電是一個無可避免的要件。由於這種需要定時重新整理的特性，因此被稱為「動態」記憶體。相對來說，靜態記憶體（SRAM）只要存入資料後，縱使不重新整理也不會遺失記憶。與SRAM相比，DRAM的優勢在於結構簡單——每一個位元的資料都只需一個電容跟一個電晶體來處理，相比之下在SRAM上一個位元通常需要六個電晶體。正因這緣故，DRAM擁有非常高...
【用戶】william
【年級】大二上
【評論內容】動態隨機存取記憶體（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是一種半導體記憶體，主要的作用原理是利用電容內儲存電荷的多寡來代表一個二進位位元（bit）是1還是0。由於在現實中電晶體會有漏電電流的現象，導致電容上所儲存的電荷數量並不足以正確的判別資料，而導致資料毀損。因此對於DRAM來說，周期性地充電是一個無可避免的要件。由於這種需要定時重新整理的特性，因此被稱為「動態」記憶體。相對來說，靜態記憶體（SRAM）只要存入資料後，縱使不重新整理也不會遺失記憶。與SRAM相比，DRAM的優勢在於結構簡單——每一個位元的資料都只需一個電容跟一個電晶體來處理，相比之下在SRAM上一個位元通常需要六個電晶體。正因這緣故，DRAM擁有非常高...
【用戶】william
【年級】大二下
【評論內容】動態隨機存取記憶體（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是一種半導體記憶體，主要的作用原理是利用電容內儲存電荷的多寡來代表一個二進位位元（bit）是1還是0。由於在現實中電晶體會有漏電電流的現象，導致電容上所儲存的電荷數量並不足以正確的判別資料，而導致資料毀損。因此對於DRAM來說，周期性地充電是一個無可避免的要件。由於這種需要定時重新整理的特性，因此被稱為「動態」記憶體。相對來說，靜態記憶體（SRAM）只要存入資料後，縱使不重新整理也不會遺失記憶。與SRAM相比，DRAM的優勢在於結構簡單——每一個位元的資料都只需一個電容跟一個電晶體來處理，相比之下在SRAM上一個位元通常需要六個電晶體。正因這緣故，DRAM擁有非常高...