問題詳情

25.在P型與N型半導體接合時,接合面形成的空乏區,其作用爲何?
(A)抑制漂移電流
(B)增加漂移電流
(C)增加擴散電流
(D)抑制擴散電流

參考答案

答案:D
難度:適中0.589041
統計:A(16),B(1),C(6),D(43),E(0)