問題詳情
二、有一陡接面（abrupt junction）的矽 p-n 二極體，p 型的濃度為 Na = 2 × 1016 cm，n 型的濃度為 Nd = 1 × 1016 cm−3，在零偏壓 Va = 0 之下，求出p 型區的空乏區寬度xp，n 型區的空乏區寬度 xn。若 Va = 0.5 V，求出 p 型區的空乏區寬度 xp，n 型區的空乏區寬度 xn。熱電壓 Vt = kT/q = 0.0259 V，矽的本質濃度 ni = 1.0 × 1010 cm−3，矽的介電係數Si = 11.7 × 8.85 × 10 −14 F/cm。（20 分）
參考答案
答案：D
難度：適中0.632258
統計：A(12),B(21),C(12),D(98),E(0)
用户評論
【用戶】狂徒(我要回家!)
【年級】大二下
【評論內容】第 237 條 告訴乃論之罪，其告訴應自得為告訴之人知悉犯人之時起，於六個月內為之。得為告訴之人有數人，其一人遲誤期間者，其效力不及於他人。