問題詳情

五、對於多晶矽閘(poly-Si gate) p 通道金氧半場效電晶體(p-channel MOSFET):
【題組】⑴請簡述採用離子佈植技術之電晶體製程步驟流程。(10 分)

參考答案

答案:C
難度:簡單0.752621
統計:A(32),B(75),C(359),D(11),E(0)

用户評論

【用戶】Ling-kuei Chi

【年級】高三下

【評論內容】第 73 條  學校法人解散後除破產外,以全體董事為清算人;清算人應於法人主管機關解散通知到達之日起十五日內,向該管法院聲請法人解散登記,清算人全部或一部不願或不能就任時,法院於必要時,得因法人主管機關、檢察官或利害關係人之聲請,或依職權選任清算人。法院認為必要時,得將前項清算人全部或一部解任之。法院選任、解任清算人時,得徵詢法人主管機關之意見;法人主管機關亦得主動向法院表示意見。清算人應於就任後三十日內,將其就任日期,向該管地方法院聲報。

【用戶】Angel Wang

【年級】大二上

【評論內容】全體董事為清算人