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• 39. 錄音機放音時正常，但錄音時聲音變小，可能之故障原因為(A)磁頭不潔(B)磁頭磨損(C)錄音偏壓電路故障(D)消音頭不良。
• 38. 交流偏壓方式之錄音機，如偏壓振盪器發生不良時，下列說明何者為錯誤(A)錄音後之音量輸出變小(B)無法消音(C)錄音時會過度失真(D)錄音時不構成影響。
• 【題組】 ⑵計算填滿因子（Fill Factor）。（10 分）
• 41. 錄音機會發生絞帶之情形，其故障原因，下列說明何者為錯誤(A)壓帶輪不潔(B)主驅動軸不潔(C)錄音帶捲取力30矩不足(D)消音頭磨損。
• 40. 錄音機在錄音時，發生串音(CROSS TALK)其故障原因下列說明何者為錯誤(A)磁頭的位置不正確(B)磁頭的高度和導帶器的高度不平時(C)使用後張力過大的磁帶(D)錄音之振盪偏壓過低。
• 三、下表是四種元素的一些X-射線波長，且Kabsorb表示可打出K層光電子之最大光子波長：（25 分）【題組】⑴由Kα之波長估計在放出此X-射線時，鈷原子中躍遷電子所受到的有效核電荷。
• 7.最近社會大眾討論是否應將我國選舉權的年齡降至年滿十八歲。根據現行法規，如欲修改此項投票年齡門檻，必須透過何種程序始能達成？(A)可直接經由舉辦全國性公民投票決議通過(B)須經由中央選舉委員會決議之
• 47. 使用乾粉滅火器，下列敘述何者正確？(A)先將滅火器之安全栓拉開(B)持滅火器者應由上風位置接近火源(C)火熄滅後以水冷卻餘燼(D)滅火劑噴向火焰之火舌。
• 【題組】 ⑵單逃逸峰與雙逃逸峰出現之能量為何？原因為何？
• 31. 有關顯示器的發展趨勢，下列何者已逐漸不被採用？(A)CRT(B)LCD(冷陰極管背光源)(C)LCD(LED 背光源)(D)OLED。
• 30. 有關 OLED 顯示器之特性，下列敘述何者正確？(A)低驅動電壓(B)製造簡單不可彎曲(C)發光效率高(D)可視角小。
• 54. 下列火災何者不適合用二氧化碳滅火器？(A)傢具類(B)油漆類(C)電氣類(D)石油類 之火災。
• 四、請說明為什麼半導體在離子佈植後，熱處理需要使用比較高的溫度來進行？（5 分）
• 【題組】 (二)在接觸電 阻的量測技 術， 我們常 使用 一種 稱為傳 輸線 方法（ transmission line，請描述此方法如何量測接觸電阻。method） （10 分）
• 八、繪圖說明何謂等向性蝕刻（isotropic etching）、非等向性蝕刻（anisotropic etching）？以HF和HNO3混合溶液蝕刻Si是屬於那一種？（10 分）
• 七、一層厚度 100 nm 的矽薄膜，如果要用氧化的方式，將 Si 厚度減薄到 50 nm，請問需要成長多厚的氧化層？（10 分）
• 八、在量測半導體晶片或磊晶層的濃度，我們通常使用霍爾效應（Hall effect）及電容-電壓（C-V）方法。【題組】(一) 請說明這兩種量測方法的基本原理。（10 分）
• 六、請畫出Metali/SiO2/p-type Si在accumulation, depletion, inversion三種狀態的能帶圖。（15 分）
• 一、民國 97 年 8 月 1 日施行之入出國及移民法，請問其在民國 96 年 12 月修正之主要內容有那些？（15 分）
• 七、在製作元件的歐姆接觸（ohmic contact）技術中，我們通常在元件的表面層摻雜高濃度，再鍍上蕭特基（Schottky）金屬層，或者在元件表面層鍍上合金金屬層，接著進行熱處理而製作歐姆接觸。【
• 六、以化學氣相沉積法（CVD）成長的氧化物及氮化物分別稱為 SiO2 及 Si3N4，而以電漿加強式化學氣相沉積法（PECVD）成長的氧化物及氮化物分別稱為 SiOx 及 SiNx，為什麼？（10 分
• 四、若某一輻射樣品之總計測時間為 6 分鐘，今測得射源加背景之計數率為 100 cps、背景計數率為 4 cps：（20 分）【題組】⑴為使計測誤差最小，則射源與背景計測時間應如何分配？
• 五、通常在離子佈植過程中，我們使用光阻來作為阻止離子佈植的區域；而在擴散過程中卻不使用光阻來作為阻止摻雜雜質擴散的區域。為什麼？（10 分）
• 42. 調頻系統中，聲頻信號愈高，則受雜音干擾的機會(A)愈大(B)愈小(C)不受影響(D)不一定。
• 【題組】 ⑶如有一蓋革計數器為 nonparalyzable 型式，其分解時間為 300μs，觀察到的計數率為 60000 cpm，求真實計數率。