資訊推薦

• 五、分子 NO 具有雙重簡併的基態電子能階，以及在 121.1 cm-1 處也被雙重簡併的第一激發能階。請計算電子自由度在溫度 300 K 時對 NO 的標準摩爾熵的貢獻。（光速= 2.99×1010
• 一、The system of international priority right under patent law originates fromParis Convention for th
• 二、Please translate the following opinion of the Supreme AdministrativeCourt in English:關於系爭專利說明書是否符合
• 二、如圖所示之桿件（質量可忽略）兩端分別安裝質量4 kg 與2 kg 之質量塊（可視為質點），在θ= 60o時從靜止釋放，並在垂直平面上繞 O 點轉動（無摩擦），試求2 kg質量塊撞擊彈簧前一瞬間之速
• 6、若將y＝-2(x-1)2＋7向左平移4個單位，再向上平移2個單位，形成y＝a(x－b)2＋c，則a＋b＋c= (6) 。
• 7、如圖(十一)，已知正六邊形ABCDEF的外接圓面積為24π，求此正六邊形的內切圓面積為 (7) 。
• 三、下列有關專利更正之案件 1、更正案甲 1-1更正前之說明書及申請專利範圍： ［發明名稱］ 去水劑組成物 ［申請專利範圍］ 一種去水劑組成物，包含化合物 A。 ［說明書］ ……該去水劑組成物用於乾燥
• 【題組】⑵請說明更正案甲是否准予更正？（6分）
• 【題組】⑶請說明更正案乙是否准予更正？（6分）
• 5 甲公司於 X1年1月1日以每股市價$15取得乙公司80%流通在外之普通股股權並具控制，當日乙公司權益包括普通股股本$500,000（每股面額$10）、特別股股本$100,000（每股面額$100、
• 7 甲公司持有乙公司70%股權及丙公司60%股權，乙公司持有丙公司 20%股權。投資當日被投資公司可辨認資產、負債之帳面金額均等於公允價值。假設甲公司與乙公司移轉對價（投資成本）超過所取得可辨認淨資產
• 8、設二次函數y＝ax2＋12的圖形與x軸交於A、B兩點，與y軸交於C點。若△ABC的面積為24，則a＝ (8) 。
• 三、如圖所示之均質圓盤（質量 m）在邊緣 O 點處由一軸承（無摩擦）懸掛，當此圓盤由圖示水平位置從靜止釋放，試求圓盤釋放瞬間之角加速度與軸承之反力。（20分）
• 9、如圖(十二)，在△ABC　中，∠BAC＝50°，若　O　為△ABC　的外心，而　P　為△OBC　的外心，則∠BPC＝ (9) 。
• 如圖(十二)，【題組】12.()若四邊形 ABCD 為等腰梯形， ，E、F、G、H 為各邊中點，則四邊形 EFGH必為(A)長方形(B)正方形(C)菱形(D)箏形。
• 二、圖二(1)的運算放大器具有理想特性，R1 = R2 = 10 kΩ。正負偏壓為，vs(t)為週期 T 之連續三角波如圖二(2)。先畫出 vo-vs之轉換特性曲線，再依照 vs(t)波形畫出對應的
• 10、如圖(十三)，圓O是直角△ABC的內切圓，∠C ，＝9，則灰色區域面積為 (10) 平方單位。
• 四、如圖所示之組合桿件由鋼（Steel）製與黃銅（Brass）製實心圓柱所串接組成，在不受力下剛好可塞入固定長度之剛性間隙 AE 內並於兩端焊接固定。鋼及黃銅材料之楊氏係數分別為 Es = 200 G
• 五、如圖所示之簡支樑承受集中負載，試求在 n-n 截面上之最大橫向剪應力。（20分）
• 三、圖三為回授放大器的方塊圖，放大器 A 之開迴路增益（open-loop gain）為 A = xo/xi，且其輸出電阻為 Ro，在負載(RL)端為電壓取樣（voltagesampling）xo =
• 11、如圖(十四)，圓O是△ABC的外接圓， ， 是直徑。若＝16，則圓O半徑是 (11) 。
• 24. 如右圖，四邊形 ABCD 為長方形，且梯形 ABED 四邊分別與圓 O 相切，若 = 18， = 12，求梯形兩腰中點連線段 = ？
• 四、圖四無穩態複振器（astable multivibrator）三反相器輸出邏輯“0”與“1”分別為 0 與+5 V，輸出電阻為零，輸入電阻無限大，輸入低於 2 V 視為“0”，高於 4 V 視為“
• 12、如圖(十五)，G點、I點分別是△ABC的重心和內心，若=20，則 ＝ (12) 。
• 五、圖五是 1-bit CMOS 靜態隨機存取記憶體（SRAM）電路，A、B 與 Q 均為低電位（邏輯 0）或高電位（邏輯 1）的變數，分別表示「非 B」與「非 Q」。電路中所有 MOS 電晶體已經妥