問題詳情

二、圖二為由兩個相同的N通道（N-channel）MOS電晶體所組成的電路，已知單一個NMOS電晶體之參數為：臨界電壓（threshold voltage） Vt＝1 V、製程轉導參數（process transconductance parameter） μnCox＝ 120 μA/V2、通道長度（channel length） L＝1 μm、製程技術參數（process-technology parameter） λ = 0 V-1。若欲使該電路具有之電氣數值為：VDD＝10 V、I＝240 μA、V1＝5 V、V2＝2 V，試求：


【題組】⑴NMOS電晶體Q1及Q2之閘極寬度（gate width）。 （10 分）

參考答案

答案：B
難度：簡單0.825766
統計：A(661),B(3692),C(86),D(32),E(0)

用户評論

【Yain Main】評論

所以只能默默承受被不公平對待嗎??好奇怪!

【黃 泰益】評論

下列有關集中實習的敘述，何者正確　　(B)實習生對實習教保機構人員的任何抱怨，只聽而不宣揚

【李政緯】評論

只聽不宣揚???ZZZZZZZ

【正式老師】評論

左耳進右耳出...= =