問題詳情

1 圖示為某 Vt = 1 V 之 NMOS 場效電晶體所構成的電路，若電晶體工作在飽和區（saturation region），下列有關電壓 VD之敘述，何者正確？


(A) VD之最大值為 1 V
(B) VD之最小值為 1 V
(C) VD之最大值為 2 V
(D) VD之最小值為 2 V



參考答案

用户評論

【Petrus】評論

FET在飽和區的條件是V_GS - V_☆ &☆☆;= ...