【評論主題】6 在共源極（common source）放大器中，若 FET 的 未達臨界電壓，則汲極端的電壓為：(A) 0 V (B) (C)∞ (D)
【評論內容】如下圖，因為V_GS未達臨界電壓，所以電...
【評論主題】48. 具電流放大，不具電壓放大的電晶體組態電路為何？(A)共基極電路 (B)共射極電路 (C)共集極電路 (D)共陽極電路
【評論內容】
共基極電路只能放大電壓，共射極電路能放大電流與電壓，共集極電路只能放大電流，共陽極電路不存在，故答案選(C)。
【評論主題】46. 如圖【二十一】所示電路，其小信號等效輸出阻抗Zo最接近下列何值？（熱當電壓VT＝26mV） (A) 7.5Ω(B) 17.5Ω(C) 27.5Ω(D) 37.5Ω
【評論內容】左圖是本題的小訊號等效電路，因為要算輸出...
【評論主題】45. 如圖【二十】所示電路及電晶體之特性曲線，假設電晶體原來的工作點為Q點，則當RB電阻值變大時，其新的工作點應近似於哪一點？ (A) A點(B) B點(C) C點(D) D點
【評論內容】
R_B 變大 → I_B 變小 → I_C 變小 → V_CE 變大，故答案選(D)。
(1) I_B = (V_CC - 0.7) / R_B .
(2) I_C = beta * I_B .
(3) V_CE = V_CC - I_C * R_C .
【評論主題】34. 如圖【十四】所示電路，假設二極體D1與D2之切入電壓Vr＝0.7V、順向電阻Rf＝200Ω、及逆向電阻Rr＝ ∞，電路中之RS＝1.8kΩ及RL＝12kΩ，當V1＝V2＝2V，請問Vo為多少？
【評論內容】本題假設兩個二極體都是順偏，此時必須考慮...
【評論主題】32. 差動放大器共模拒斥比（CMRR）愈大，則下列敍述何者正確？(A)愈不易消除雜訊 (B)愈易消除雜訊(C)該差動放大器愈差 (D)Ad愈小，Ac愈大
【評論內容】
以上為CMRR的定義，其中A_d為差模增益，A_c為共模增益。差動放大器的設計主旨為消除雜訊，而CMRR為評估差動放大器的指標，CMRR越大表示差動放大器的性能越好，越容易消除雜訊。
【評論主題】31. 串級放大電路若串接級數愈多，則頻寬將如何變化？(A)變窄 (B)變寬(C)不變 (D)視電路情況而定
【評論內容】
若單級放大器的頻寬是f_1，則N個相同單級放大器串接後的頻寬f_N為上述公式。觀察公式可得當放大器串接級數越高，則整體頻寬會越窄。
【評論主題】29. 通電中之雙極性電晶體B-E射基接面為順向偏壓且B-C集基接面為順向偏壓，則此電晶體工作區域為何？(A)空乏區 (B)截止區 (C)飽和區 (D)作用區
【評論內容】
(A) 是指PN接面中在漂移運動和擴散作用的雙重影響下載子數量非常少的一個高電阻區域，不是工作區域
(B) B-E接面逆向偏壓，B-C接面逆向偏壓
(C) B-E接面順向偏壓，B-C接面順向偏壓
(D) B-E接面順向偏壓，B-C接面逆向偏壓
【評論主題】1 圖示為某 Vt = 1 V 之 NMOS 場效電晶體所構成的電路，若電晶體工作在飽和區（saturation region），下列有關電壓 VD之敘述，何者正確？ (A) VD之最大值為 1 V(
【評論內容】FET在飽和區的條件是V_GS - V_☆ &☆☆;= ...
【評論主題】39 對於一個電壓波形 v(t) = 50 sin(2πft)伏特，f = 60 Hz。下列何者正確？(A)電壓平均值為25伏特 (B)電壓均方根值為50伏特 (C)電壓的峰對峰值（peak to p
【評論內容】
(A) 電壓平均值為 0
(B) 電壓均方根值為 50 / 根號2
(C) 電壓峰對峰值為 100 伏特
(D) 在一個周期內，sin(0) = sin(π) = 0，所以頻率60Hz，等於電壓每秒120次經過0伏特
【評論主題】37 如圖為 RC 耦合串級放大器電路的典型接法，試問 RC 耦合會造成什麼影響？ (A)低頻響應變差 (B)中頻響應變差 (C)高頻響應變差 (D)沒有影響
【評論內容】
電容的阻抗為 1 / jωC，耦合電容通常是 μF 等級
在低頻訊號時電容的阻抗夠大，會對訊號分壓使得低頻響應變差
但是電容的阻抗隨著頻率上升而變得更小
所以在中高頻訊號時，電容形同短路，所以不影響中高頻響應的結果
【評論主題】36 如圖所示為一個由五個反相器所構成的環形振盪器（ring oscillator）。若每一個反相器的延遲時間為50 ns， 問環形振盪器的振盪頻率？ (A)318 kHz (B)2 MHz (C)
【評論內容】
f = 1 / (2 * n * t_d)
= 1 / (2 * 5 * 50ns)
= 2 (MHz)
其中 n 為反相器數量，t_d 為單個反相器的延遲時間
【評論主題】34 圖示電路為 CMOS 運算放大器，則下列敘述何者正確？ (A) Q1與 Q2是 AB 類功率放大器 (B) Q3與 Q4提供主動負載 (C) Q5為共閘極放大器 (D) Q6與 Q8提供保護電路
【評論內容】(A) Q1, Q2 是差動對放大器(B) ☆3, ☆4 ...
【評論主題】28 如圖所示具有射極電阻之共射極放大器，其輸入電阻 RIN 約為何？假設電晶體之 gm 為10 mA/V，β = 100。 (A)10 kΩ (B)20 kΩ (C)30 kΩ (D)40 kΩ
【評論內容】R_IN = r_π + (1 + β) * 100= β / ☆_☆...
【評論主題】23 電路上某 npn 雙極性接面電晶體（BJT）工作在截止區（Cutoff），已知電路之電源電壓 = 10 V， 下列何者正確？ (A) (B) (C) (D)
【評論內容】已知BJT在截止區得 I_B = 0得 ☆_☆ = 0 ★...
【評論主題】13 如圖所示為一箝位電路，若 為35 V 時，整個迴路的電流 I 是多少？ (A)3.5 mA R (B)5 mA (C)10 mA (D)35 mA
【評論內容】I = (35 - 10) / 2.5 = 10 (mA)
【評論主題】12 下列有關雙極性電晶體（BJT）共集極（CC）組態放大器的敘述，何者正確？(A)電壓增益大於1 (B)電流增益大於1 (C)低輸入電阻 (D)高輸出電阻
【評論內容】
(A) 電壓增益通常略小於1
(B) 電流增益為(1+β)，遠大於1
(C) 高輸入阻抗，通常為100kΩ等級
(D) 低輸出阻抗，通常為10Ω等級
【評論主題】9 CMOS 反相器結構係由一個 n 通道增強型 MOSFET 與一個 p 通道增強型 MOSFET 組成，p 通道MOSFET 之源極接 ，n 通道 MOSFET 之源極接地。下列何者正確？ (A)
【評論內容】參考下圖，pMOS(閘極有打點)在上，n☆☆☆...
【評論主題】7 設計類比電路時，若採用 NPN 或 PNP 雙極性接面電晶體（BJT），一般情形最常使用到 BJT 的那一種 偏壓模式？ (A)飽和模式（Saturation mode） (B)線性模式（Line
【評論內容】類比電路中的BJT通常操作在順向主動模式，...
【評論主題】6 如圖為定電流源電路，若 Q1和 Q2電晶體的輸出阻抗 ro 和電流增益 β 所引起的效應不計，已知 ， ，欲使電流為 Io = 1mA，試求電阻 R =？ (A)5.7 kΩ (B)4.7 kΩ
【評論內容】
根據題目條件可得
V_C1 = 0.7 V,
I_R = I_C1 = I_C2 = 1 mA,
所以電阻 R
= (5 - 0.7) / 1
= 4.3 kΩ
【評論主題】2 一個二極體 pn 接面逆偏時，所存在的主要電容是：(A)空乏電容 (B)擴散電容 (C)耦合電容 (D)旁路電容
【評論內容】PN接面逆偏時的主要電容是空乏電容，順偏...
【評論主題】1 N 型半導體的主要載子為：(A)電洞 (B)中子 (C)質子 (D)電子
【評論內容】矽(4A族)基半導體中摻雜5A族元素，會...
【評論主題】36. 下列敘述何者有誤？(A)直接耦合串級放大電路前後級阻抗容易匹配(B)直接耦合串級放大電路之低頻響應佳(C)變壓器耦合串級放大電路易受磁場干擾(D)電阻電容耦合串級放大電路偏壓電路獨立，設計容易
【評論內容】(A) 直接耦合電路在設計阻抗時，會影響...
【評論主題】34. 如下圖所示之差動放大器。電晶體參數如下，μnCox= 100 μA/V2，VA = 10， 但Q1,2之(W/L)1,2 = 25，Q3之(W/L)3 = 50，Q4之(W/L)4 = 10。
【評論內容】X點以上為對稱之差動放大器，因此放大器左...
【評論主題】27. 對直接耦合(direct-coupling)放大器而言，下列敘述何者正確？(A)低頻響應佳，工作點較穩定 (B)高頻和低頻響應皆佳，工作點穩定(C)高頻響應較差，工作點較不穩定 (D)低頻響應
【評論內容】電晶體各個腳位的直流偏壓有特定範圍，一旦...
【評論主題】33.如【圖 33】所示電路，射極旁路電容器 CE 之主要功能為何？ (A)提高偏壓穩定度 (B)提高輸入阻抗(C)保護電晶體(避免射極電流過大而燒毀) (D)提高交流信號的電壓增益
【評論內容】在沒有旁路電容的狀況，交流小訊號增益如下...
【評論主題】30. FET 不具備下列何項元件之功用？(A)開關 (B)放大 (C)電阻 (D)整流
【評論內容】FET 操作在歐姆區與截止區可以當開關組...
【評論主題】6 在共源極（common source）放大器中，若 FET 的 未達臨界電壓，則汲極端的電壓為：(A) 0 V (B) (C)∞ (D)
【評論內容】
如下圖，因為V_GS未達臨界電壓，所以電晶體通道關閉，汲極電流為0，所以汲極電壓與偏壓V_DD等電位，即V_D = V_DD
【評論主題】5 有一 p 通道接面場效電晶體的 ，則當 時，此電晶體的 ID為多少？(A)無限大 (B) 9 mA (C) 6 mA (D) 0 A
【評論內容】
此P型JFET的V_GS截止電壓為4V，若V_GS大於4V，P型JFET的通道就會關閉，所以汲極電流為零(沒有電流)
【評論主題】4 已知一正弦波經半波整流後之電壓波形 v(t)如圖所示，試問其平均值是多少伏特（V）？ (A) 6.36 V(B) 7.07 V(C) 3.18 V(D) 5.00 V
【評論內容】
半波整流後，訊號平均值為波峰值除以圓周率，所以本題的平均值為3.18V
【評論主題】46. 如圖【二十一】所示電路，其小信號等效輸出阻抗Zo最接近下列何值？（熱當電壓VT＝26mV） (A) 7.5Ω(B) 17.5Ω(C) 27.5Ω(D) 37.5Ω
【評論內容】
左圖是本題的小訊號等效電路，因為要算輸出阻抗，所以要關閉小訊號來源，關掉後電路為右圖，如此才能開始計算輸出阻抗。詳解如下：
【評論主題】34. 如圖【十四】所示電路，假設二極體D1與D2之切入電壓Vr＝0.7V、順向電阻Rf＝200Ω、及逆向電阻Rr＝ ∞，電路中之RS＝1.8kΩ及RL＝12kΩ，當V1＝V2＝2V，請問Vo為多少？
【評論內容】
本題假設兩個二極體都是順偏，此時必須考慮二極體的跨壓與內阻，加上題目其他條件，使用KCL列式，並以Vo處為電流節點，可得Vo電位。詳解如下：
【評論主題】32. 差動放大器共模拒斥比（CMRR）愈大，則下列敍述何者正確？(A)愈不易消除雜訊 (B)愈易消除雜訊(C)該差動放大器愈差 (D)Ad愈小，Ac愈大
【評論內容】
以上為CMRR的定義，其中A_d為差模增益，A_c為共模增益。差動放大器的設計主旨為消除雜訊，而CMRR為評估差動放大器的指標，CMRR越大表示差動放大器的性能越好，越容易消除雜訊。
【評論主題】31. 串級放大電路若串接級數愈多，則頻寬將如何變化？(A)變窄 (B)變寬(C)不變 (D)視電路情況而定
【評論內容】
若單級放大器的頻寬是f_1，則N個相同單級放大器串接後的頻寬f_N為上述公式。觀察公式可得當放大器串接級數越高，則整體頻寬會越窄。
【評論主題】29. 通電中之雙極性電晶體B-E射基接面為順向偏壓且B-C集基接面為順向偏壓，則此電晶體工作區域為何？(A)空乏區 (B)截止區 (C)飽和區 (D)作用區
【評論內容】
(A) 是指PN接面中在漂移運動和擴散作用的雙重影響下載子數量非常少的一個高電阻區域，不是工作區域
(B) B-E接面逆向偏壓，B-C接面逆向偏壓
(C) B-E接面順向偏壓，B-C接面順向偏壓
(D) B-E接面順向偏壓，B-C接面逆向偏壓
【評論主題】39 對於一個電壓波形 v(t) = 50 sin(2πft)伏特，f = 60 Hz。下列何者正確？(A)電壓平均值為25伏特 (B)電壓均方根值為50伏特 (C)電壓的峰對峰值（peak to p
【評論內容】
(A) 電壓平均值為 0
(B) 電壓均方根值為 50 / 根號2
(C) 電壓峰對峰值為 100 伏特
(D) 在一個周期內，sin(0) = sin(π) = 0，所以頻率60Hz，等於電壓每秒120次經過0伏特
【評論主題】37 如圖為 RC 耦合串級放大器電路的典型接法，試問 RC 耦合會造成什麼影響？ (A)低頻響應變差 (B)中頻響應變差 (C)高頻響應變差 (D)沒有影響
【評論內容】
電容的阻抗為 1 / jωC，耦合電容通常是 μF 等級
在低頻訊號時電容的阻抗夠大，會對訊號分壓使得低頻響應變差
但是電容的阻抗隨著頻率上升而變得更小
所以在中高頻訊號時，電容形同短路，所以不影響中高頻響應的結果
【評論主題】36 如圖所示為一個由五個反相器所構成的環形振盪器（ring oscillator）。若每一個反相器的延遲時間為50 ns， 問環形振盪器的振盪頻率？ (A)318 kHz (B)2 MHz (C)
【評論內容】
f = 1 / (2 * n * t_d)
= 1 / (2 * 5 * 50ns)
= 2 (MHz)
其中 n 為反相器數量，t_d 為單個反相器的延遲時間
【評論主題】34 圖示電路為 CMOS 運算放大器，則下列敘述何者正確？ (A) Q1與 Q2是 AB 類功率放大器 (B) Q3與 Q4提供主動負載 (C) Q5為共閘極放大器 (D) Q6與 Q8提供保護電路
【評論內容】(A) Q1, Q2 是差動對放大器(B) ☆3, ☆4 ...
【評論主題】13 如圖所示為一箝位電路，若 為35 V 時，整個迴路的電流 I 是多少？ (A)3.5 mA R (B)5 mA (C)10 mA (D)35 mA
【評論內容】I = (35 - 10) / 2.5 = 10 (mA)
【評論主題】12 下列有關雙極性電晶體（BJT）共集極（CC）組態放大器的敘述，何者正確？(A)電壓增益大於1 (B)電流增益大於1 (C)低輸入電阻 (D)高輸出電阻
【評論內容】
(A) 電壓增益通常略小於1
(B) 電流增益為(1+β)，遠大於1
(C) 高輸入阻抗，通常為100kΩ等級
(D) 低輸出阻抗，通常為10Ω等級
【評論主題】38. 如下圖所示之集極回授偏壓電路，VCC ＝ 12 V，VBE ＝ 0.7 V，電晶體β ＝120，RC ＝ 1 kΩ，若 VCE ＝ 6.7 V，則RB為何？ (A) 48.5 kΩ(B) 76
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【評論主題】36. 下列敘述何者有誤？(A)直接耦合串級放大電路前後級阻抗容易匹配(B)直接耦合串級放大電路之低頻響應佳(C)變壓器耦合串級放大電路易受磁場干擾(D)電阻電容耦合串級放大電路偏壓電路獨立，設計容易
【評論內容】(A) 直接耦合電路在設計阻抗時，會影響...
【評論主題】34. 如下圖所示之差動放大器。電晶體參數如下，μnCox= 100 μA/V2，VA = 10， 但Q1,2之(W/L)1,2 = 25，Q3之(W/L)3 = 50，Q4之(W/L)4 = 10。
【評論內容】
X點以上為對稱之差動放大器，因此放大器左右相對位置的訊號為等值異號，可得X點在小訊號電路(左上)中為接地，且因為對稱關係，所以圖可以簡化為等效半電路模型(右上)以方便計算。
解題核心精神為找出差動增益A_d與Q1汲極電流(I_D1)的關係式，算出I_D1後再用電流鏡的概念算出參考電流I_B。
解題過程必須時刻注意各個參數的單位，否則容易算錯而找不出正確的選項。詳解如下圖：
【評論主題】27. 對直接耦合(direct-coupling)放大器而言，下列敘述何者正確？(A)低頻響應佳，工作點較穩定 (B)高頻和低頻響應皆佳，工作點穩定(C)高頻響應較差，工作點較不穩定 (D)低頻響應
【評論內容】電晶體各個腳位的直流偏壓有特定範圍，一旦...
【評論主題】22. 有一單埠電路，其戴維寧等效電壓為20 伏特，諾頓等效電流為4 安培，請問其諾頓與戴維寧等效電阻各為何？(A)同為 Ω (B)同為5 Ω (C) Ω與5 Ω (D) 5 Ω與 Ω
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【評論主題】33.如【圖 33】所示電路，射極旁路電容器 CE 之主要功能為何？ (A)提高偏壓穩定度 (B)提高輸入阻抗(C)保護電晶體(避免射極電流過大而燒毀) (D)提高交流信號的電壓增益
【評論內容】在沒有旁路電容的狀況，交流小訊號增益如下...
【評論主題】30. FET 不具備下列何項元件之功用？(A)開關 (B)放大 (C)電阻 (D)整流
【評論內容】FET 操作在歐姆區與截止區可以當開關組...