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7 設計類比電路時,若採用 NPN 或 PNP 雙極性接面電晶體(BJT),一般情形最常使用到 BJT 的那一種 偏壓模式? (A)飽和模式(Saturation mode) (B)線性模式(Line
問題詳情
7 設計類比電路時,若採用 NPN 或 PNP 雙極性接面電晶體(BJT),一般情形最常使用到 BJT 的那一種 偏壓模式?
(A)飽和模式(Saturation mode)
(B)線性模式(Linear mode)
(C)順向主動模式(Forward active mode)
(D)逆向主動模式(Reverse active mode)
參考答案
答案:C
難度:
適中
0.58
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用户評論
【
Petrus
】評論
類比電路中的BJT通常操作在順向主動模式,...
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6 如圖為定電流源電路,若 Q1和 Q2電晶體的輸出阻抗 ro 和電流增益 β 所引起的效應不計,已知 , ,欲使電流為 Io = 1mA,試求電阻 R =? (A)5.7 kΩ (B)4.7 kΩ
下一篇 :
8 有一矽雙極性接面電晶體(Si-BJT)電路及輸入接腳 的電壓波形如下所示, ,R1 = R2 = 1 kΩ,R3 = R4 = 100 Ω, ,電晶體電流增益 。試研判輸出接腳 在高準位輸出(Vo
資訊推薦
9 CMOS 反相器結構係由一個 n 通道增強型 MOSFET 與一個 p 通道增強型 MOSFET 組成,p 通道MOSFET 之源極接 ,n 通道 MOSFET 之源極接地。下列何者正確? (A)
10 如圖所示為一 CMOS 反相器在輸入端與輸出端之間接上1 MΩ 之電阻作為放大器之用。兩個電晶體 特性相同; 。若 = 5 V, 則電晶體 的汲極直流偏壓電流為多少? (A)100 μA
11 一個 OP AMP 的輸出的上下限為±10 V,迴轉率(slew rate)為1 V/μs,單增益頻寬 。若輸出訊號為正弦波,其振幅為10 V,所能操作的最大頻寬最接近下列何值? (A)16 k
12 下列有關雙極性電晶體(BJT)共集極(CC)組態放大器的敘述,何者正確?(A)電壓增益大於1 (B)電流增益大於1 (C)低輸入電阻 (D)高輸出電阻
13 如圖所示為一箝位電路,若 為35 V 時,整個迴路的電流 I 是多少? (A)3.5 mA R (B)5 mA (C)10 mA (D)35 mA
14 圖示為箝位電路及其輸入信號,其中 D 為理想二極體且 RC 時間常數遠大於輸入信號之週期,決定輸出信號的直流準位為多少伏特? (A)−15 V(B)−5 V (C)5 V (D)15 V
15 電容器及理想二極體所構成之倍壓電路如圖,輸入信號 且電容器 C3於穩定狀態 時所跨電壓 = 30 volt,下列敘述何者正確? (A) (B) (C) (D)
16 如圖所示的兩不同截波電路中,二極體均視為理想且輸入信號均為 vi(t) = 8sin(ωt) volt, ,則輸出 最大值與輸出 最小值之間的電壓差為多少伏特? (A)4 V (B)6 V (
17 如圖所示之電路,假如二極體為理想,求其輸出電壓之平均值為何? (A)11.6 V (B)21.6 V (C)24.6 V (D)110 V
18 如圖所示電路之主要功能為何? (A)運算 (B)放大 (C)整流 (D)倍壓
19 如圖所示之電路, 為一正弦波(DC 值為0 V,振幅= 10 V),假設 = 1 kΩ,求 為何? (A)10 V(B)20 V(C)30 V (D)40 V
20 如圖所示之電路,最高與最低輸出電壓各為何?假設 D1與 D2為理想且 (峰值),R1 = 1 kΩ, 。 (A)正6 V 與負6.5 V (B)正1 V 與負1.5 V (C)正4 V 與
21 利用「橋式整流電路」做交流全波整流,其輸出波形之峰值大小比起原輸入訊號 Vs 峰值大小:(A)大一個二極體順向啟動電壓 (B)大兩個二極體順向啟動電壓 (C)小一個二極體順向啟動電壓 (D)小兩
22 的小訊號交流電源經過橋式整流電路後,其輸出漣波頻率約為:(A)30 Hz (B)60 Hz (C)120 Hz (D)377 Hz
23 電路上某 npn 雙極性接面電晶體(BJT)工作在截止區(Cutoff),已知電路之電源電壓 = 10 V, 下列何者正確? (A) (B) (C) (D)
24 如圖所示之放大器電路,假設其直流偏壓電流 (直流偏壓電路未示於圖中) ,電晶體 M 之參數如下: ,且 λ = 0;求此放大器電路之小信號電壓增益之值為何? (A)−9.43 (B)−11.4
25 如圖所示之電路,假設電晶體之參數如下: 且 λ = 0;跨在電晶體上之直流電壓 最接近下列何值? (A)−4.95 V (B)−5.75V (C)4.95 V (D)5.75 V
26 如圖所示之電路,假設電晶體 M1之參數如下: 且 λ1 = 0;電晶體M2之參數如下: 且 λ2 = 0;求 之值為何? (A)2 V (B)4 V (C)6 V (D)8 V
27 如圖所示之放大器電路,電晶體 J 之參數如下: ,求此電路之小信號電壓增益值為何? (A)0.67 (B)0.77 (C)0.87 (D)0.97
28 如圖所示具有射極電阻之共射極放大器,其輸入電阻 RIN 約為何?假設電晶體之 gm 為10 mA/V,β = 100。 (A)10 kΩ (B)20 kΩ (C)30 kΩ (D)40 kΩ
29 如圖所示之小訊號模型為一共源極放大器,其等效輸入電容 為何? (A) (B) (C) (D)
30 MOSFET 操作於三極管區(triode region),且汲極與源極跨壓微小時,可等效成下列何種元件?(A)電壓控制之可變電阻 (B)電壓控制之可變電容 (C)電流控制之可變電阻 (D)電流
31 設雙極性電晶體(BJT)的 α 值由0.96變化至0.99,則 β 值由多少變為多少?(A)由24變為90 (B)由24變為99 (C)由25變為75 (D)由30變為60
32 某雙極性電晶體(BJT)的 為2 μA,其 β 值為50,則其 應為: (A)50 μA (B)70 μA (C)100 μA (D)120 μA
33 如圖所示的相移振盪電路中的 ,決定該電路發生等幅振盪時之正弦波頻率約為多少 Hz? (A)13 kHz (B)21 kHz (C)50 kHz (D)62 kHz