34. 有關如何有效降低增強型 NMOS 電晶體的 VT (Threshold Voltage)值，下列敘述何者正確？(A)降低基體(Substrate)的濃度(NA)(B)降低源極(Source)區域的濃度(ND)(C)降低汲極(Drain)區域的濃度(ND)(D)降低閘極(Gate)區域的ɛox/tox(ɛox：矽氧化層的電容介電係數；tox：矽氧化層的厚度)