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35. 有關 MOSFET 之敘述，下述何者有誤？(A)增強型 n 通道 MOSFET 之臨界電壓值為正(B)增強型 p 通道 MOSFET 之VGS若接正電壓，則無法建立通道(C)空乏型 n 通道
問題詳情
35. 有關 MOSFET 之敘述，下述何者有誤？
(A)增強型 n 通道 MOSFET 之臨界電壓值為正
(B)增強型 p 通道 MOSFET 之VGS若接正電壓，則無法建立通道
(C)空乏型 n 通道 MOSFET 之VGS可接正電壓或負電壓
(D)空乏型 MOSFET 本身結構中並無預設通道存在
參考答案
答案：D
難度：
計算中
-1
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34. 有關如何有效降低增強型 NMOS 電晶體的 VT (Threshold Voltage)值，下列敘述何者正確？(A)降低基體(Substrate)的濃度(NA)(B)降低源極(Source)區
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36. 有關 JFET 自給偏壓(Self-Bias)電路，若希望工作點(Operating Point)設定在轉換特性曲線的中點，意即 ID = IDSS，下列哪一種方式可達成？(A) VGS =
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37. 有一空乏型 n 通道 MOSFET，Kn' W L = 2 mA V2 ⁄ ⁄ ，Vt = -3 V，其源極與閘極均接地。下列敘述何者有誤？(忽略通道長度調變效應)(A)當VD =
38. 有關 MOS 電流鏡和 BJT 電流鏡的比較，下列敘述何者有誤？(A) MOS 電流鏡無 β 效應(有限 β 值效應)(B)通常 MOS 電流鏡的VOmin = VGS − Vt = VOV比
39. 如右圖所示之主動負載 CE 放大器，定電流源 I 由一 PNP 電晶體組成。令 I ＝ 0.2 mA，兩電晶體之 |VA| ＝ 40 V，β ＝ 200，VT = 25 mV，下列敘述何者有誤
26. 如右圖所示，以應變計測量一桿件之O點，其3個方向之應變為εa= εc= 0，εb = 380✖10-6，試求該處之剪應變 γxy 為何？ (A) 190✖10-6 (B) 380✖10-6(C
35. 設數列 的前 n 項和 ，試選出正確的選項。(A) =19(B)數列 中的每一項都是正奇數 (C) 是等差數列(D) (E)
27. 關於特定分子之點群(Point group)之敘述，下列何者有誤？(A) CsCl, (B) ethylene, (C) O2F2, C2 (D)
40. 如右圖所示之電流轉換器電路圖，所有電晶體 β = 80，假設二極體與電晶體飽和電流 IS 相同，VT = 25 mV，n = 1，VS = 2 V，R = 1 KΩ，請問 Io 為何？ (A)
39. 如下圖所示之工型梁斷面，斷面對中立軸之慣性矩為 I，彈性係數為 E，該斷面受一彎矩 M 作用，斷面之翼版與腹版交接處 a 點(距離中性軸 X)之彎曲應力大小為何？ (A) (B) (C) (D
27. 一懸臂梁，長度為 L，撓曲剛度 EI 為常數，其上方承受均佈載重 w 造成之變形曲線可表示為v = - ( 2x4 – 5Lx3 + aL2x2)，( 0 ≦ x ≦ L，第一象限)，試求
41. 有一個一階運算放大器，其直流增益為 106，且有一極點於 10 rad/s 時，零點為無窮大，若使用電阻將其組成非反向放大器，直流增益為 100，請問非反向放大器之極點為何？(A) 10 ra
42. 請問下列多級放大器耦合類別中，最佳低頻響應為何？(A)電阻電容耦合 (B)直接耦合 (C)變壓器耦合 (D)電感耦合
43. 如右圖所示之簡單音頻放大器電路圖，若要得到較低的轉角頻率 fL = 50 Hz，請問 C 耦合電容值為何？ (A) 0.0191 μF (B) 0.0477 μF(C) 0.191 μF (D
44. 有關負回授與非負回授運算放大器之比較，下列敘述何者有誤？(A)負回授運算放大器輸入與輸出電壓呈現 180°反相(B)負回授運算放大器可提高閉迴路電壓增益(C)負回授運算放大器可依需求調整電路以
28. 如右圖所示，一擋土樁露出地面高度為 h，撓曲剛度為 EI，在側向土壓作用下，試求 B 點之撓度為何？(A) (B) (C) (D)
45. 如右圖所示之並聯-串聯式(Shunt-Series)負回授放大電路，電晶體參數 gm1 = gm2 = 6 mA/V，若忽略爾利效應(Early Effect)及基體效應(Body Effec
28. 關於SO3分子之敘述，下列何者正確？(A) SO3與 具有相同點群(Point group)(B) SO3具有1個對稱面(C) SO3具有6個振動自由度(Vibrational freedom
46. 如右圖所示之 A 類放大電路，能有最大功率輸出時(即 Q 點位於負載線中間處)，請問電阻值 RB約為多少？ (A) 23.1 kΩ (B) 34.6 kΩ(C) 51.9 kΩ (D) 69.
47. 設計一個哈特萊振盪器(Hartley Oscillator)，振盪頻率為 100 kHz，電感 L1 = L2 = 0.2 mH，請問電容 C 為何？(A) 6.33 nF (B) 12.67
40. 如下圖所示，試求 T 型斷面形心至底端之距離 為何？ (A) 25 cm(B) 30 cm(C) 35 cm(D) 40 cm
42. 有一梁承受純彎矩，使其產生彎曲狀態，其中立面上所受之應力為下列何者？(A)壓應力 (B)拉應力 (C)剪應力 (D)零
41. 牛頓第一定律，為物體不受外力作用，或作用於一物體之靜力為零時(平衡狀態)，靜者恆靜，動者恆作等速度直線運動，又稱為下列何種定律？(A)運動定律 (B)慣性定律 (C)拉密定律 (D)作用及反作
48. 有一由運算放大器及 3組 RC 電路組成之相移振盪器，假設所有電阻均為 R、所有電容均為 C，下列敘述何者有誤？(A)因使用 3組 RC 電路，總相位移180° (B)須使用反相放大(C)回授
49. 兩端輸入的 CMOS XOR 邏輯閘，至少需由多少顆電晶體組成？(A) 3 (B) 4 (C) 6 (D) 8
50. 有關 CMOS 反相器(Inverter)之功率消耗，下列敘述何者有誤？(A)其動態功率消耗與頻率成正比(B)其動態功率消耗與負載電容成正比(C)其動態功率消耗與操作電壓一次方成正比(D)切換
29. 下列化合物中，何者之磁矩(Spin-only magnetic moment, μs)最接近5.0 μB？(A) (B) (C) (D)