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26. 有關微分器、積分器之敘述，下列何者正確？ (A)方波輸入積分器後之輸出波形為三角波 (B)三角波輸入積分器後之輸出波形為方波 (C)方波輸入微分器後之輸出波形為三角波 (D)三角波輸入微分器後
問題詳情
26. 有關微分器、積分器之敘述，下列何者正確？
(A)方波輸入積分器後之輸出波形為三角波
(B)三角波輸入積分器後之輸出波形為方波
(C)方波輸入微分器後之輸出波形為三角波
(D)三角波輸入微分器後之輸出波形為正弦波
參考答案
答案：A
統計：A:2,B:1,C:2,D:0,E:0
難度：計算中
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15.有一電子移動速度是光速的 0.30 倍，請問其德布洛依（de Broglie）波長？（蒲朗克常數 h =．s，電子的質量kg，光速） (A)m (B)nm (C)m (D) 6.55 × 104
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27. 雙極性接面電晶體(BJT)運作於主動模式，若 β 參數由 99 變化到 49，則 α 參數之變化為何？ (A)由 0.99 變化到 0.49 (B)由 0.99 變化到 0.98 (C)由 0
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28. 有關理想運算放大器之敘述，下列何者有誤？ (A)輸出阻抗無窮大 (B)輸入阻抗無窮大 (C)頻帶寬度無窮大 (D)開迴路電壓增益無窮大
29. 電壓 V(t) = 80 sin(ωt+30°) V，週期 T = 0.01 秒，當 t = 0 秒時瞬間電壓為何？ (A) 40 V (B) 50 V (C) 60 V (D) 80 V
30. 雙極性接面電晶體(BJT)可分為 NPN 型及 PNP 型，其基極( B )、集極( C )及射極( E )的摻雜濃度 由大至小依序排列，下列何者正確？ (A) NPN：E ＞ C ＞ B；P
31. 有一雙極性接面電晶體(BJT)基本放大電路，若輸出端為射極(E)，則其放大電路組態應為下 列何者？ (A)共集極(CC)組態 (B)共射極(CE)無 RE 組態 (C)共射極(CE)有 RE
32. 有關雙極性接面電晶體(BJT)之工作模式，下列敘述何者有誤？ (A)作為開關使用，若開關導通(ON)，應工作於飽和區 (B) B-E 接面加逆向偏壓，B-C 接面加順向偏壓時，處於截止區 (C
33. 有一矽二極體在溫度 90 ℃ 時，其逆向飽和電流為 192 nA，若溫度下降至 30 ℃ 時，試求逆向 飽和電流為何？ (A) 3 nA (B) 6 nA (C) 12 nA (D) 24 n
34. 有一放大電路以中頻段增益為基準，有關其截止頻率之敘述，下列何者有誤？ (A)截止頻率又稱半功率點頻率 (B)截止頻率又稱 -3 dB 點頻率 (C)半功率點是指增益衰減至中頻段增益的一半 (D
50.The Xenopus melanocyte contains melanosomes, the site for the synthesis and storage of melanin, t
35. 有關場效電晶體(FET)之敘述，下列何者有誤？ (A) MOSFET 的工作模式為歐姆區(三極管區)、夾止飽和區及截止區 (B)可分成傳導載子為電子的 n 通道與傳導載子為電洞的 p 通道 (
36. 有關雙極性接面電晶體(BJT)共射極(CE)、共集極(CC)及共基極(CB)組態放大電路特性之比較 ，下列何者有誤？ (A)功率增益：CE ＞ CB ＞ CC (B)輸出阻抗：CB ＞ CE
37. 有關場效電晶體(FET)與雙極性接面電晶體(BJT)之比較，下列敘述何者正確？ (A) FET 的輸入阻抗較 BJT 低 (B) BJT 比 FET 適合應用於超大型積體電路 (C) BJT
38. 有關差動放大器增益與共模拒斥比(CMRR)之敘述，下列何者正確？ (A) Acm (共模增益)越大越好 (B) Ad (差模增益)越小越好 (C)理想 CMRR 為無窮大 (D) CMRR 越
39. 串級放大器相對於單級放大器，有關前者之增益與頻寬，下列敘述何者正確？ (A)增益變大，頻寬變窄 (B)增益變大，頻寬變寬 (C)增益變小，頻寬不變 (D)增益變小，頻寬變窄
40. 下列何者不是達靈頓(Darlington)放大電路之特點？ (A)輸入阻抗高 (B)輸出阻抗低 (C)電流增益高 (D)電壓增益高
41. 雙極性接面電晶體(BJT)運作於主動模式，熱電壓 VT = 25 mV，基極直流電 IB = 10 μA， β = 99，試求室溫下交流等效電阻 rπ 為何？ (A) 1 kΩ (B) 2.5
42. 電晶體共射極放大電路於射極電阻 RE 增加一射極旁路電容 CE，其主要功用為下列何者？ (A)濾波功能 (B)防止直流電通過 (C)防止短路 (D)提高電壓增益
43. 有一 n 通道接面場效電晶體(JFET)之汲極電流 IDSS = 4 mA，其中 VGS(OFF) = ‐4 V，當 JFET 運 作於 VGS = ‐2 V 時，試求順向轉移互導 gm 為何
44. 有一 n 通道空乏型金屬氧化半導體場效電晶體(MOSFET)運作於夾止飽和區，其導電參數 K = 0.5 mA\/V2，若直流工作點之汲極電流為 ID=8 mA，試求 gm 為何？ (A)
45. 在矽半導體材料中摻入五價雜質，其半導體類型、電性及內部多數載子之敘述，下列何者正 確？ (A) p型半導體、正電、電洞 (B) p型半導體、電中性、電洞 (C) n型半導體、負電、電子 (D)
46. 有一 p 通道增強型金屬氧化半導體場效電晶體(MOSFET)，其參數 K = 0.5 mA⁄V2，臨界電壓 VT= -2 V，試求 VGS= -4 V 時，ID 值為何？ (A) 0 mA (
47. 雙極性接面電晶體(BJT)共射極(CE)組態中，小訊號電源是經由一個耦合電容 CC 進入基極， 該電容 CC 之主要功能為何？ (A)阻隔直流 (B)使電流增益變大 (C)阻隔交流信號 (D)
48. 有關功率放大器的特性分成 A 類、B 類、AB 類及 C 類，下列敘述何者有誤？ (A) A 類放大器的工作操作點定於負載線中點 (B) B 類放大器的失真程度最小 (C) AB 類放大器的工
49. 有一雙極性接面電晶體(BJT)，β = 100，已知室溫下熱電壓 VT = 25 mV，若 IC = 0.5 mA，試求該 BJT 之 gm 為何？ (A) 20 mA⁄V(B) 40 mA⁄
50. 有關振盪器之敘述，下列何者有誤？ (A)石英振盪器是利用晶體本身之壓電效應 (B)一般 RC 相移振盪器所產生的輸出波形為三角波 (C)射頻振盪器一般採用 LC 電路 (D)低頻振盪器一般採用
16. 依體操比賽規定：7位裁判所給的分數中，將最高與最低的兩個分數刪除，剩下5個分數的平均就是該體操選手的成績。一名體操選手在完成動作後，螢幕上出現7個分數， 因畫面停留時間不夠長，只看到前6位裁判