問題詳情

35. FET 場效電晶體相較於 BJT 電晶體的特性敘述,下列何者有誤?
(A) FET 是單極性裝置
(B) FET 具有高電流驅動能力
(C) FET 可作為對稱性的雙向開關
(D) FET 較無雜訊產生

參考答案

答案:B
難度:簡單0.75
書單:沒有書單,新增

用户評論

牛奶】評論

1.優點(1).高輸入阻抗 一般 BJ T 的輸入阻抗僅約為 20Ω 30 k Ω  JFET 之輸入阻抗約 10 8 ~10 12 Ω MO S FET 的輸入阻抗約為 10 10 ~10 15 Ω 且具有高扇出 (fan out) 數 。(2).單極性工作 FE T 之導電由其多數載子決定 P 通道為電洞、 N 通道為電子  BJT 由電子和電洞兩種載子共同完成 。(3).FET:熱穩定性較高 BJ T 的輸出電流具有正溫度特性 FE T 具有負溫度特性 因此不會有熱跑脫 ( 現象出現 。(4).FET的體積小 易於製造 包裝密度極高 。(5).FET 不易受輻射影響  BJ T 對輻射很敏感 β 受影響尤甚 。(6).FET雜訊較小 雜訊與電流成正比 FE T 因輸入電路採逆向偏壓控制 所以 雜訊較小 。(7).FET 無起始電壓 故不需抵補電壓 適合作截波電路 。(8).汲源極可互換使用 故可作為雙向開關 。(9).可將電荷儲存在內部小電容 中 因此 可視為具有記憶功能之裝置 。(10)MOS FET 可連接當作電阻負載 。2.缺點(1).FET增益與頻寬乘積遠小於 BJT 。(2).FET 高頻頻率響應不佳 。(3).操作速度比 BJT 慢 。3.FET 之應用(1).小信號電壓放大器 。(2).信號截波器 。(3).需高輸入阻抗之裝置 。(4).大型積體電路 VL S I 。 例如 記憶體 、微處理機、數位式電子錶。