問題詳情

1. 氮化鎵(GaN)係由氮和鎵所組成之化合物,為使晶體結構中部分的鎵(Ga)原子被其他原子取代
以形成 N 型半導體,可摻雜下列何種材料?
(A)鎘(Cd)
(B)鎂(Mg)
(C)矽(Si)
(D)鋅(Zn)

參考答案

答案:C

統計:A:1,B:0,C:5,D:0,E:0

難度:計算中