問題詳情

二、由金屬與n型半導體形成一個理想的蕭基界面,金屬的功函數qΦM,半導體的電子親和力qX,能隙為Eg,摻雜濃度為ND,本質載子濃度為ni,電洞遷移率µp,電子遷移率µn,電洞擴散常數 Dp,電洞生命期τp:(35 分)
【題組】 ⑴熱平衡(Thermal equilibrium)下,蕭基能障高度(Schottky barrier height)qФB及半導體的內建電位能qVbi為何?

參考答案