63. N 通道增強型場效應電晶體(簡稱 MOSFET)的臨界電壓(Threshold Voltage)VT=3 V,若電路中的VGS=4 V時 ID=2 mA,且 MOSFET 工作於飽和區,則 M
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63. N 通道增強型場效應電晶體(簡稱 MOSFET)的臨界電壓(Threshold Voltage)VT=3 V,若電路中的VGS=4 V時 ID=2 mA,且 MOSFET 工作於飽和區,則 MOSFET 交流小信號模型中的轉移電導gm為多少? (A)1 mS (B) 2 mS (C) 3 mS (D)4 mS