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• 三、在金屬/氧化層/p型矽（MOS）元件中，已知氧化層SiO2厚度為 5 nm，其介電係數ϵSiO2 = 3.9 ϵo，其中ϵo = 8.85×10-14 F/cm，矽之介電係數ϵsi = 11.7
• 二、【題組】⑴自由擴散（free diffusion）、促進擴散（facilitated diffusion）與主動輸送（activetransport）三種質傳方式，皆發生在溶質穿過人體細胞膜的質傳
• 三、史諾登（E. Snowden）揭露美國監聽全球的稜鏡計畫（Prism），各國政府反應為何？為何中國大陸、歐盟成員國拒絕庇護史諾登？（25 分）
• 二、某一母體由 16 個抽樣單位組成，抽樣單位的觀測值如下：2 3 4 5 9 10 11 12 16 17 19 20 25 30 30 35【題組】⑴使用分層隨機抽樣法（stratified
• 【題組】 ⑵請求出在矽半導體之淨電荷量Qs (C/cm2) = ？（7 分）
• 【題組】⑵比較三種質傳方式的異同。（5 分）
• 四、如何兼顧國家安全（national security）和個人隱私（individual privacy）？（25 分）
• 97. 污水抽水站攔污柵及抽水機等設備除現場手控設備外，其單元控制盤及配電盤以設於(A)現場(B)地下操作室(C)地下電氣室(D)地面層以上控制室配電室 較妥。
• 【題組】 ⑵使用系統抽樣法（systematic sampling）從 1 至 4 的數字中隨機選出一數字，抽出四個抽樣單位，以估計母體平均值。將上述母體 16 個抽樣單位重新安排次序，使得母體平均值
• 三、【題組】⑴請寫出流體在圓管內流動的 Hagen-Poiseuille equation，並說明其適用情況。（8 分）
• 一、什麼是瓦爾特定律（Walther's Law）？在地層對比上的應用為何？（20 分）
• 【題組】 ⑵Ampullae of Lorenzini
• 91. 雨水抽水站內柴油機之輔助設備應有可貯存(A)12 小時(B)24 小時(C)36 小時(D)48 小時 之燃料箱。
• 四、在反應離子蝕刻（reactive ion etch - RIE）製程中採用XeF2及Ar氣體進行Si之蝕刻，其蝕刻速率為R，製程中含有化學蝕刻機制及物理蝕刻機制。【題組】⑴請說明各氣體在蝕刻時分別
• 【題組】 ⑵簡單的靜脈輸注袋（intravenous bag）內含 0.9%生理食鹽水 500mL（粘度為 1 cp），流經管路為 18 號導管（長度為 2 m，內直徑為 0.953 mm），依靠重力
• 128. 有一不規則計數器，共有 4 個不同的狀態(如下圖)，由變數 x 控制不同的計數順序，則下列哪些敘述正確?(A)需用 2 個正反器設計此計數器電路(B)當 x=0 時，計數順序為 00→01→
• 98. 測量下水之量水設備，全堰之越流量公式，Q＝C‧B‧h3/2 式中 C 值為(A)越流量(B)堰寬(C)流量係數(D)越流水深。
• 92. 抽水站除臭系統，若以電解食鹽產生次氯酸鈉去除惡臭，其化學反應中，下列何者將被釋放產生，並導致火災或爆炸之虞(A)Na (B)OCI-(C)H2(D)Cl2 。
• 【題組】 ⑵若只有XeF2之蝕刻速率為Ra，只有Ar氣體時之蝕刻速率為Rb，請問Ra+Rb速率和與R何者較大？請說明理由。（10 分）
• 【題組】 (四)
• 50. 下列布林代數何者有錯誤？(A) (B) (C) (D) 。
• 99. 抽水站之電氣及儀控設備以放置於(A)地下一樓(B)地下二樓(C)地面一樓(D)地面二樓 為佳。複選題：
• 93. 為使抽水機吸水順暢，避免空氣入造成孔蝕，吸水管與管壁間距離，下列何者最佳(A)1D(B)2D(C)3D(D)4D 其中 D 為吸水管管徑。
• 五、在半導體製程中使用局部矽氧化（local oxidation of silicon - LOCOS）技術來做隔絕用，請說明該製程步驟流程，並繪出SiO2形成後之輪廓示意圖。（20 分）
• 【題組】 ⑵在反偏壓VR = 3V之空乏區總寬度為W(3V)，在VR = 2V之空乏區總寬度為W(2V)，請求出W(3V)/ W(2V) =？（10 分）