問題詳情

29.關於理想金屬-氧化物-半導體場效應電晶體(MOSFET)之敘述何者為是?
(A) 閘極電流為零
(B) 偏壓為

之增益高於偏壓為

之增益
(C) 對於空乏型 n 通道 MOSFET,


(D) 對於矽基 MOSFET 而言,N-MOSFET 在頻率響應的表現優於 P-MOSFET



參考答案

答案:A,B,D
難度:計算中-1
書單:沒有書單,新增