三、圖三中電晶體偏壓於飽和區，小訊號參數 gm = 2.4 mA/V，ro = 10 kΩ，寄生電容Cgs = 5/π pF 與 Cgd = 0.35/π pF。取 Rsig = 0.4 kΩ，RL = 20 kΩ，CL = 0.5/π pF。低頻時其輸入電阻 Rin 與輸出電阻 Ro 公式如圖所示。以開路時間常數法估算此放大器增益Av = vo/vsig之高頻 3-dB 頻率，以 Hz 表示，忽略電晶體之 body effect。（20 分）