問題詳情
26. 關於p-n接面二極體(p-n junction diode)之敘述，下列何者有誤？
(A)開路狀態下，空乏區(Depletion region)的寬度會較深入摻雜濃度低的一邊
(B)逆向偏壓時，空乏區所形成的電容變大
(C)順向偏壓時，電流與電壓呈指數關係
(D)多數載子之移動形成擴散電流
參考答案
答案：B
難度：適中0.6
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用户評論
【用戶】hchungw
【年級】研一上
【評論內容】關於p-n接面二極體(p-n junction diode)之敘述(A)開路狀態下，空乏區(Depletion region)的寬度會較深入摻雜濃度低的一邊(C)順向偏壓時，電流與電壓呈指數關係(D)多數載子之移動形成擴散電流
【用戶】?
【年級】高三上
【評論內容】逆偏時，空乏區變大。