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• 3.關於稽納二極體的特性，下列敘述何者正確？(A)能在定電壓下調整電流，故可用來設計穩壓電路(B)能將電能轉為光能，故可做為數字顯示器(C)是一種閘流體，故可做相位控制電路(D)是一種感測元件，適合做
• 二、如圖所示之均質矩形塊，初始時在無摩擦之平面上以等速度 v1＝2.7 m/s 向右滑動，撞擊在 B 點之微小突起而邊角 A 完全被擋下（perfectly plastic impact），造成矩形塊
• 【題組】⑶建議降低保溫厚度的方法。（5 分）
• 4.某整流電路輸出的直流電壓為 30 V，交流漣波電壓為 1.5 V(rms)，則此整流電路之漣波因數 r %為何？(A) 0.1% (B)1.5% (C) 5%(D)20%
• 四、下圖為 R-717（ammonia）冷媒的 Mollier 圖，請參考並回答以下問題：【題組】⑴當冷凝溫度 40℃蒸發溫度-20℃，計算冷凍系統的性能係數（COP），假設理想冷凍循環及等熵壓縮。（
• 6.欲使 NPN 雙載子接面電晶體(BJT)工作於作用區(Active region)，應如何施加偏壓？(A) (B) (C) (D)
• 5.某電源供應器在空載時輸出電壓為 22 伏特，滿載時輸出電壓為 20 伏特，則電壓調節率為何？(A) 5.8% (B)8.3% (C) 9.1%(D)10%
• 四、某空調空間使用一單區空氣調節器，其顯熱與潛熱增量分別為 65 kW 與 8 kW，此空間欲保持在 24℃與 50%相對濕度，而室外空氣的設計條件為 35℃乾球溫度與25℃濕球溫度。為了通風，室外空
• 2.在室溫下，欲使矽晶體中之電子脫離共價鍵成為自由電子，至少需要多少能量？(A) 0.47 ev(B) 0.72 ev(C) 1.1 ev(D) 1.43 ev
• 【題組】⑵比較分析一與分析二，每週工作時數與業績之關係有何差異？你會採用那個模式？為什麼？（α=0.05）（15 分）
• 3.關於稽納二極體的特性，下列敘述何者正確？(A)能在定電壓下調整電流，故可用來設計穩壓電路(B)能將電能轉為光能，故可做為數字顯示器(C)是一種閘流體，故可做相位控制電路(D)是一種感測元件，適合做
• 19.如圖所示的通電線圈內的磁通方向是： (A)從左到右(B)從上到下(C)從右到左(D)從下到上
• 4.某整流電路輸出的直流電壓為 30 V，交流漣波電壓為 1.5 V(rms)，則此整流電路之漣波因數 r %為何？(A) 0.1%(B) 1.5%(C) 5%(D) 20%
• 【題組】⑷計算此梁腹版的最大剪應力（shear stress）。（10 分）
• 13. 下列細胞存活曲線相關參數所表示的意義何者錯誤？(A) D0 指細胞存活率以指數方式減少至原始值的 37 %所需的劑量(B) D0 指初始斜率，D1 指末端斜率(C) D10 指細胞存活率減少至
• 5.某電源供應器在空載時輸出電壓為 22 伏特，滿載時輸出電壓為 20 伏特，則電壓調節率為何？(A) 5.8%(B) 8.3%(C) 9.1%(D) 10%
• 14. Na(Tl)閃爍體測得 137Cs 662 keV 光子的康普吞邊緣(Compton edge)為多少 keV？(A) 151 (B) 184 (C) 478 (D) 511
• 【題組】⑵若要得最大量的 B，應如何進行此反應？
• 三、有一不可逆基本（elementary）氣相反應2A → B+ C含 100 kg 觸媒在填充床反應器中進行反應。進口壓力為 20 atm，出口壓力為 4 atm，轉化率達 50%。今加入含有 20
• 【題組】⑵有沒有更好的方法進行此反應，請說明。
• 四、有一恆溫氣相不可逆基本反應A + B → CA 的進料流率為 10 mol/min，A 和 B 為等莫耳流率，A 的進料濃度為 0.4 mol/dm3。（每小題 10 分，共 20 分）【題組】⑴
• 【題組】⑵若有更好的抗震結構系統且同時也可以滿足上段的條件時，試繪圖簡要（100 字以內）說明之。（10 分）
• 4. 對已取得教師資格但尚未獲得教職的一群人，下列哪項稱呼最能符合師資培育法的 設計精神？(A)流浪教師(B)超額教師(C)代理教師(D)儲備教師
• 四、某建築之 RC 結構平面如圖 4 所示，其樓版結構體厚 15 公分，上方之均布載重（含樓版自重）可以簡化成：呆重 5 kN/m2，活重為 4 kN/m2。若以單向版分析此樓版之內力，則可取單位寬度
• 15. 以小空腔度量輻射劑量，若其條件符合布拉格－戈雷空腔理論時，腔壁的吸收劑量( Dw )與小空腔內氣體的吸收劑量( Dg )的比值可以下列何式表示？(註：S = 阻擋本領，S△ =限制性阻擋本領)