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• 5.當線圈從工件表面移開時，對瑕疵的靈敏度會降低的現象主要是由於下列何者引起？(A)因距離導至磁通密度減少 (B)因檢測速度導至磁通密度減少(C) ( A )與 ( B )均是 (D)線圈磁場強度減少
• 6.有些渦電流檢測會用一磁場將試件做磁飽和是為了?(A)提高檢測速度 (B)提高檢測深度(C)消除導磁率變化 (D)以上皆是
• 7.渦電流線圈由於工件特性的改變所造成的阻抗改變可以藉___使易於解析？(A)容抗及電阻 (B)訊號振幅及相位(C)保磁性及諧波頻率 (D)諧波頻率及感抗
• 8.渦電流檢測時探頭線圈與被測物間之耦合是透過？(A)磁田 (B)磁飽和 (C)電感 (D)線圈磁場
• 10.金屬線通過磁場時，金屬線兩端感應之電壓：(A)與金屬線通過磁力線的速度呈正比 (B)與金屬線的長度呈反比(C)與金屬線通過磁力線的速度呈反比 (D)跟金屬線通過的速度無關
• 11.渦電流線圈之磁場強度在空氣中：(A)線圈外隨距離增加而減少，線圈內部整個環狀直徑內都是定值(B)線圈外隨距離增加而增加，線圈內部整個環狀直徑內都是定值(C)線圈外隨距離增加而增加，線圈內部整個環
• 12.比較絕對式線圈與差異式線圈特性，下列何者為絕對式線圈之優點？(A)有溫度補償功能 (B)對探頭及被檢物間有相對振動之補償(C)對緩慢化之缺陷靈敏度高 (D) ( A )與( B )均是
• 13.為了將類比資訊能在數位電腦上顯現，通常必需使用：(A)振幅接收器 (B)微處理器 (C)相位偵檢器 (D)A-D 轉換器
• 14.下列敘述，何者正確？(A)對於次表面裂縫可視為離距效應(B)對於表面裂縫可視為厚度效應(C)當裂縫深度增加時，測試線圈阻抗的相位和振幅均會改變(D)以上皆是
• 15.一般渦電流儀器以______波來激發線圈。(A)正旋波（Sine wave） (B)方波（Square wave）(C)三角波（Triangular wave） (D)鋸齒波（Sawtooth
• 16.下列何者為渦電流訊號分析的方法?(A)阻抗面分析法 (B)相位分析法 (C)調制分析法 (D)以上皆是
• 17.將兩組或多組線圈以相反的方向纏繞並加以串聯，此類線圈為？(A)表面絕對線圈 (B)差異式線圈(C)單繞絕對式線圈 (D)雙繞絕對式線圈
• 18.混波電路係將不需要的訊號以 方式抑制之。(A)向量相減 (B)代數相減 (C)電子 (D) ( A )與( B )
• 19.通常測試線圈的阻抗可用 的向量和來表示？(A)容抗和電阻 (B)感抗、容抗及電阻 (C)感抗和電阻 (D)容抗和電阻
• 20.下列何種情況下，渦電流透入深度會減少？(A)頻率降低或試件導電率提高 (B)頻率或試件導電率降低(C)試件導磁率降低 (D)頻率、試件導電率或導磁率降低
• 21.在相同激發交流電條件下，下列何種材質誘發之表面渦電流較小？(A)高導磁性、高導電性 (B)高導磁性、低導電性(C)低導磁性、低導電性 (D)低導磁性、高導電性
• 22.下列何者不是渦電流儀器的元件？(A)振盪器（Oscillator） (B)觸發器（Trigger）(C)電橋（Bridge） (D)放大器（Amplifer）
• 23.以等量之離距變化使探頭離開材料表面時，光點之軌跡是以何種方式移動?(A)線性 (B)非線性 (C)等比級數 (D)等差級數
• 24.下當檢測時，探頭移動速率相同而裂縫寬度為原來之5 倍時，裂縫信號的變化頻率為原來的多少倍？(A) 5 倍 (B) 10 倍 (C) 0.2 倍 (D) 2 倍
• 25.有關法拉第定律，線圈產生之感應電動勢敘述，何者正確？(A)與線圈匝數成反比，且與磁通量變化率成反比(B)與線圈匝數成正比，且與磁通量變化率成正比(C)與線圈匝數平方成反比，且與磁通量變化率成正比
• 26.若磁性管渦電流檢測前先進行磁飽和，當磁飽和完成後缺陷訊號之相位分離度會(A)降低 (B)提高 (C)無影響 (D)不一定
• 27.有一R-L 串聯線路，線圈之電感為200×10-6 亨利，阻抗|Z|為20 歐姆，若電流頻率為10 kHz，則其電阻為？(A) 6 歐姆 (B) 8 歐姆 (C) 15 歐姆 (D) 12 歐姆
• 28.材料之相對導磁率（µr）略大於１者，為何種材料之特性？(A)順磁性材料 (B)反磁性材料(C)鐵磁性材料 (D)材料磁性僅與絕對導磁率（µ）有關
• 29.渦電流檢測時，若欲獲得 "8" 字型的缺陷信號，應？(A)選用多頻檢測 (B)選用差異式線圈(C)使用旋轉式絕對線圈 (D)選用內外繞線圈
• 30.阻抗平面圖歸-化以後，其感抗與空線圈之感抗比值，下列敘述何者正確？(A)鈦合金之感抗值大於1 (B)鋁合金之感抗值大於1(C)碳鋼之感抗值大於1 (D)以上均是