資訊推薦

• 10. 鉻中性原子(24  Cr)  的基態(能量最低)電子組態中，填充在所有s軌域上的電子總數為多少(個)？(A) 6 (B) 7 (C) 8 (D) 24
• 11. 關於化合物的共價鍵結，下列化合物的中心原子與氫原子結合時，中心原子所使用之混成軌域種類，何者正確？(A) 氫化鈹的鈹原子是 sp2  (B) 水的氧原子是sp 3  (C) 甲烷的碳原子是sp
• 22. 一理想三級串級放大器電路，第一級電壓增益為 – 100，第二級放大器電壓增益為 20 dB，第三級放大器電壓增益為10 dB。則此放大器之總電壓增益為何？(A) 70 dB (B) 50 dB
• 34. 使用示波器量測一交流電路中兩元件之電壓，所得波形如圖(十三)，若兩波形的垂直刻度均設定為5V/DIV，則下列何者正確？ (A) 振幅較小的電壓相位領先較大者45°(B) 振幅較小的電壓相位領先
• 【題組】16. 若水-乙醇系統的液相中水的莫耳分率為0.60，下列敘述何者正確？(A) 當此系統被加熱時，產生第一個氣泡時溫度約為88°C(B) 當此系統被加熱產生第一個氣泡時，氣相之水的莫耳分率約為
• 17. 2 莫耳單原子理想氣體於 300K下，由 5 atm 可逆恆溫膨脹至 2 atm，其內能變化量 (△U)為A焦耳，膨脹過程之熱量(q)為B焦耳，則(A+B)為多少焦耳？(ln 2.5=0.92
• 19. 某一級反應在 328 K 下之反應速率常數為在 298 K 下之反應速率常數的 8 倍，此反應在298 K 下之半生期為 6.93 分鐘，若 5 M 之反應物於 328 K 下進行此一級反應，
• 18. 有一卡諾循環在 527°C及 27°C間操作，若每一循環在高溫端吸熱 8000 卡，則每一循環對低溫端放熱多少卡？(A) 410 (B) 3000 (C) 4000 (D) 5000
• 23. 如圖(十二)所示操作於作用區之電路，若直流偏壓電流IE =1.25mA，熱電壓VT=25mV，β=150，負載喇叭阻抗RL=30Ω，則電壓增益vo / vi約為何？(A) – 149  (B)
• 12. 如圖(一)分子中具有多少個  σ鍵及π鍵？(A) 11個σ鍵，4個π鍵(B) 13個 σ 鍵，2個π 鍵(C) 14個 σ 鍵，1個 π 鍵(D) 15個σ 鍵，0個π鍵
• 【題組】2、此分子共含有幾個雙鍵？(A) 5 (B) 7 (C) 9 (D) 11 (E) 13
• 【題組】 4、一分子的 β－胡蘿蔔素在人體中會轉變為幾分子的何種維生素？(A) 一分子的維生素 A(B) 二分子的維生素 A(C) 三分子的維生素 A(D) 一分子的維生素 B(E) 二分子的維生素
• 【題組】3、此分子之分子式為何？(A) C38H50 (B) C42H60 (C) C40H56 (D) C36H52 (E) C30H50
• 21. 如圖十五，△ABC 中，D、E 兩點分別在 、 上，//，若＝6， ＝2，△ADE 的面積為 18，求△ABC 的面積？ (A) 24 (B)28 (C)30 (D) 32。
• 36. Lucy要繪製一套完整建築圖與Kevin討論，下列圖面繪製內容的敘述，何者全部正確？① 面積計算表應載明基地面積、建築面積、容積率、建蔽率、停車空間及防空避難設備檢討② 現況圖應載明四周現有巷
• 35. 若一最小值為0 V，最大值為5V，工作週期為80 %，頻率為1 kHz的方波接至直流電壓表，則電表讀數為何？(A) 5V (B) 4V (C) 2.5V (D) 0V
• 20. 若A轉化為B(反應式：A→B)之反應速率常數為0.2 ，則5 M之A反應10 分鐘生成 x M 之 B；若 B 轉化為 C ( 反應 式 ：B→C ) 之反應速率常數為 0.05 ，則xM之B
• 【題組】17. 終電が行ってしまった なかった。(A) ほか (B) 帰る (C) ので (D) 歩いて
• 24. 如圖(十三)所示之JFET電路，VDD = 12 V，RG1 = 600 k Ω，RG2 = 120 k Ω，RD = 4.7 k Ω，RS=3 kΩ，若汲極電壓VD =6V，則G、S 兩端之
• 37. 工地主任拿了一張無窗戶建築物平面圖給 Kevin，如圖 ( 十一 ) 所示，請他完成建築圖面繪製及面積計算表，已知從柱心至柱心量測，其短邊與長邊的尺寸標註分別為290 cm及590 cm，柱子
• 13. 已知反應：4HBr( g)+O2( g) → 2Br2( g) + 2H2O( g)的反應機構如下：關於上述反應與其反應機構的敘述，下列何者正確？(A) 反應的總級數為5(B) 速率決定步驟是
• 【題組】18. を子どもが解いた。(A) ですら (B) 数学の問題(C) 大学教授 (D) わからないような
• 21. 在密閉容器內，理想氣體A於300K下進行零級反應，反應速率常數為2，若氣體A初壓為2.46atm，則半生期為多少分鐘？(A) 0.025 (B) 0.05 (C) 0.1 (D) 0.2
• 25. 如圖(十四)所示之增強型MOSFET電路，其臨界電壓(threshold voltage )VT=2.25V，參數K=0.8mA/V2，VDD =15V，RG1=900kΩ，RG2=300 k
• 34. 如圖(十三)所示之電路，運算放大器之輸出正、負飽和電壓分別為+10V和–10V，假設vo轉態之下臨限(界)電壓為2.6V，則下列敘述何者正確？(A) R1=6 k(B) 上臨限電壓為4.6V(