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三、有關冷凍庫的顯熱負荷,請回答以下問題:【題組】⑴冷凍庫某一面外牆的穩態熱傳(W)之計算為 Q=UA△T,△T 是冷凍庫內外溫差,外牆面積為 A,假設外牆是單一保溫材料,其厚度為 L,熱傳導係數為
問題詳情
三、有關冷凍庫的顯熱負荷,請回答以下問題:
【題組】
⑴冷凍庫某一面外牆的穩態熱傳(W)之計算為 Q=UA△T,△T 是冷凍庫內外溫差,外牆面積為 A,假設外牆是單一保溫材料,其厚度為 L,熱傳導係數為 k,內外熱對流係數分別為 hi及 ho,推導 U 之計算公式。(10 分)
參考答案
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二、自四所高中隨機抽樣學生參加英文檢定考試,令Y=成績,X1=在校英文成績,X2=每週讀英文之時數,(X3,X4,X5)=(1,0,0)為甲校學生,(X3,X4,X5)=(0,1,0)為乙校學生,(X
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【題組】 ⑵A、B 質量塊分別之加速度;(10 分)
資訊推薦
三、下圖所示為一簡單行星齒輪系,齒輪 2(齒數為 T2 =105)與齒輪 3(齒數為 T3 =45)嚙合,並分別以旋轉對和齒輪架 c 鄰接。設齒輪 2 的轉速為ω2,相對於齒輪架 c 的轉速為ω2c;
二、某點之平面應力狀態如圖所示。計算其:【題組】⑴主應力(5 分)
19.兩個電阻R1與R2串聯後跨接於總電壓V上,則計算R1電壓降的公式是下列何者?(I、V分別為總電流、總電壓)(A)V1= IR1/(R1+R2)(B)V1= IR2/(R1+R2)(C)V1= V
2.在室溫下,欲使矽晶體中之電子脫離共價鍵成為自由電子,至少需要多少能量?(A) 0.47 ev (B)0.72 ev (C) 1.1 ev(D)1.43 ev
【題組】⑶兩條繩子分別之拉力大小。(10 分)
【題組】⑵如冷凍庫的內外溫差 40℃,k 值為 0.04 W/(m℃),hi及 ho分別為 1.0 W/(m2℃)及6.0 W/(m2℃),如要將外牆顯熱負荷降至 2.0 W/m2,計算應有的保溫厚度
3.關於稽納二極體的特性,下列敘述何者正確?(A)能在定電壓下調整電流,故可用來設計穩壓電路(B)能將電能轉為光能,故可做為數字顯示器(C)是一種閘流體,故可做相位控制電路(D)是一種感測元件,適合做
二、如圖所示之均質矩形塊,初始時在無摩擦之平面上以等速度 v1=2.7 m/s 向右滑動,撞擊在 B 點之微小突起而邊角 A 完全被擋下(perfectly plastic impact),造成矩形塊
【題組】⑶建議降低保溫厚度的方法。(5 分)
4.某整流電路輸出的直流電壓為 30 V,交流漣波電壓為 1.5 V(rms),則此整流電路之漣波因數 r %為何?(A) 0.1% (B)1.5% (C) 5%(D)20%
四、下圖為 R-717(ammonia)冷媒的 Mollier 圖,請參考並回答以下問題:【題組】⑴當冷凝溫度 40℃蒸發溫度-20℃,計算冷凍系統的性能係數(COP),假設理想冷凍循環及等熵壓縮。(
6.欲使 NPN 雙載子接面電晶體(BJT)工作於作用區(Active region),應如何施加偏壓?(A) (B) (C) (D)
5.某電源供應器在空載時輸出電壓為 22 伏特,滿載時輸出電壓為 20 伏特,則電壓調節率為何?(A) 5.8% (B)8.3% (C) 9.1%(D)10%
四、某空調空間使用一單區空氣調節器,其顯熱與潛熱增量分別為 65 kW 與 8 kW,此空間欲保持在 24℃與 50%相對濕度,而室外空氣的設計條件為 35℃乾球溫度與25℃濕球溫度。為了通風,室外空
2.在室溫下,欲使矽晶體中之電子脫離共價鍵成為自由電子,至少需要多少能量?(A) 0.47 ev(B) 0.72 ev(C) 1.1 ev(D) 1.43 ev
【題組】⑵比較分析一與分析二,每週工作時數與業績之關係有何差異?你會採用那個模式?為什麼?(α=0.05)(15 分)
3.關於稽納二極體的特性,下列敘述何者正確?(A)能在定電壓下調整電流,故可用來設計穩壓電路(B)能將電能轉為光能,故可做為數字顯示器(C)是一種閘流體,故可做相位控制電路(D)是一種感測元件,適合做
19.如圖所示的通電線圈內的磁通方向是: (A)從左到右(B)從上到下(C)從右到左(D)從下到上
4.某整流電路輸出的直流電壓為 30 V,交流漣波電壓為 1.5 V(rms),則此整流電路之漣波因數 r %為何?(A) 0.1%(B) 1.5%(C) 5%(D) 20%
【題組】⑷計算此梁腹版的最大剪應力(shear stress)。(10 分)
13. 下列細胞存活曲線相關參數所表示的意義何者錯誤?(A) D0 指細胞存活率以指數方式減少至原始值的 37 %所需的劑量(B) D0 指初始斜率,D1 指末端斜率(C) D10 指細胞存活率減少至
5.某電源供應器在空載時輸出電壓為 22 伏特,滿載時輸出電壓為 20 伏特,則電壓調節率為何?(A) 5.8%(B) 8.3%(C) 9.1%(D) 10%
14. Na(Tl)閃爍體測得 137Cs 662 keV 光子的康普吞邊緣(Compton edge)為多少 keV?(A) 151 (B) 184 (C) 478 (D) 511
【題組】⑵若要得最大量的 B,應如何進行此反應?
三、有一不可逆基本(elementary)氣相反應2A → B+ C含 100 kg 觸媒在填充床反應器中進行反應。進口壓力為 20 atm,出口壓力為 4 atm,轉化率達 50%。今加入含有 20