31.已知矽在溫度 300 K 時的本質載子濃度(intrinsic carrier concentration) ni為 1.5×1010cm−3,若摻雜的受體(acceptor)濃度 na為 10
32.某 pn 接面二極體在溫度 300 K、逆向偏壓(revers-bias)電壓為 1 V 時的電流為 10−13 A,則在同樣溫度下、逆向偏壓電壓為 0.5 V 時的電流為何?(A) 2.5×1
33.某一齊納二極體(Zener diode)流過 5 mA 時的跨壓為 3.65 V,若流過 10 mA 時的跨壓為 3.70 V,則其等效串聯電阻(equivalent series resist
35.如【圖 35】所示之二極體截波器(clipper),若 vi = 10 sin (2π×60t) V 且 VB = 8 V,則 vo的最大值為何?(A) 0 V(B) 2 V(C) 10 V(D
36.根據穩壓率的定義:,若 VO,nor = 5 V、VO,max = 5.5 V,請問下列 VO,min的值符合 5%的穩壓率要求者為何?(A) 5.0 V (B) 5.1 V (C) 5.2 V
38.某 BJT 的 BE 接面為逆向偏壓、BC 接面為順向偏壓,則該 BJT 的操作模式為:(A)順向作用區(forward active region) (B)截止區(cutoff region)
39.某 BJT 的共射極電流增益(common-emitter current gain) β = 99,則其共基極電流增益(common-base current gain) α為何?(A) 0.
43.有關 BJT 的共極集(common-collector, CC)放大器,下列敘述何者錯誤?(A)輸入電阻小、輸出電阻大(B)又稱為射極隨耦器(emitter follower)(C)適合作為緩
45.有關接面場效電晶體(junction field effect transistors, JFET)結構的敘述,下列何者錯誤?(A)只含一個 pn 接面,是一種單極性元件(unipolar de
46.一 N 型 JFET 的夾止電壓(pinch-off voltage) VP為−5 V,當操作於歐姆區(ohmic region)或三極區(triode region)、且 VGS為一固定值−1
48.有關金屬氧化物半導體場效電晶體(metal-oxide semiconductor field effect transistors, MOSFET)的敘述,下列何者錯誤?(A)閘極與半導體通道
49.一空乏型 NMOSFET 的 IDSS = 9 mA、VP = −3 V,當 VGS = 1 V、VDS = 4 V 時,ID值為何?(A) 1 mA (B) 4 mA (C) 9 mA (D)
51.一增強型(enhancement type) NMOSFET 的臨界電壓(threshold voltage) VT = 1 V,且在 VGS = 4 V 時的飽和汲極電流為 9 mA,則 VG
52.如【圖 52】所示電路,下列敘述何者錯誤?(A)此 NMOSFET 永遠操作於三極區(B)當 V 小於 VT時,此電路視同開路(C)此電路經常取代電阻作為負載使用(D)其小信號等效電阻與直流偏壓