56.有關各類放大器組態的頻率響應說明,下列何者錯誤?(A)共源極(common-source, CS)放大器的高頻響應受限於米勒效應(Miller effect)(B)共源極(CS)放大器的頻寬可以
57.下列何者非運用負回授(negative feedback)技巧的好處?(A)提高增益 (B)調整輸入/輸出阻抗 (C)降低非線性失真 (D)提高訊雜比(signal-to-noise ratio
58.大型積體電路(large-scale integrated circuit, LSI circuit)所含的邏輯閘數目約為:(A) 10 ~ 100 個 (B) 100 ~ 1000 個 (C)
59.在邏輯帶(logic band)區域所定義的四種邏輯準位電壓參數,其間正確的大小關係為:(A) VOH > VIH > VIL > VOL (B) VOH > VIH > VOL > VIL(C
60.有關 741 運算放大器(op amp)的敘述,下列何者錯誤?(A)輸入級為差動放大器 (B)電壓增益的主要來源為第二級(C) AB 類輸出級含有短路保護功能 (D)利用米勒頻率補償技術可將主要
27.如右圖之電路,流經Rf的電流值If為多少? (OP:理想運算放大器;D 為二極體,其導通電壓 = 0.7 V;VZ:稽納二極體的逆向崩潰電壓)(A) 0.14 mA(B)28 mA(C) 0.4
30.一理想矽質 PN 介面的二極體,在T 300 K時( VT =26 mV) ,其逆向偏壓的飽和電流為IS=2x10-14且n=1,請問在順向偏壓+0.65 V 時的電流值為多少?(A) 1.44
32.如右圖之電路,假設MOSFET Q1、Q2、Q3 之工VDD 作點均在飽和區且忽略爾利效應(Early Effect),g 0.5mA⁄V,Q3 與 Q2 的通道寬度比W3 ⁄W2 =1.2,試
35.對一增強型的 PMOS 電晶體,其 ,爾利電壓(Early Voltage) |VA | =50 V,將閘極(G)端接地,源極(S)端接 5V,當汲極 端電壓 vD= +4 V時,求其汲極電流值
39.如右圖之電路,已知此CMOS反向器電路的V 0.8 V,V -0.8 VVDD =5V 且K K ,假設vO1 0.5 V時,請問vI的電壓值為多少?(A) 1.55 V(B) 2.06 VIO
41.如右圖的一組並聯-串聯式(Shunt-Series)負回授放大電路,電VDD 晶體參數g g 6 mA⁄V,忽略爾利效應(Early Effect)及基體效應(Body Effect),電阻RS
42.如何有效降低增強型NMOS電晶體的Threshold Voltage電壓值VT,下列敘述何者正確? (A)降低基體(Substrate)的濃度(NA)(B)降低源極(Source)區域的濃度(N