二、 簡答題(共 25 分):1. 請寫出下列英文簡寫之中文意義(5 分)【題組】(A) VR
【題組】(B) ICP
【題組】(3) WAN
【題組】(D) ADSL
【題組】(5) CAI
2. 請寫出電腦硬體五大單元之中文名稱及英文簡寫(10 分)。
3. 請完成下表:(5 分)【題組】(A)
50 臺灣自2005年7月1日所實施的「勞工退休金條例」中,有關勞工退休金是採下列何種政策理念?(A)附加年金制 (B)個人帳戶制 (C)個人薪資保障制 (D)財產與責任保險制
六、BWR 的核反應器冷卻劑流動設計中,有利用到所謂的「再循環流動系統」,請描繪該系統簡圖,並說明之。(10 分)
七、2011 年 3 月日本福島電廠發生事故,請簡述你所了解的原因,為何核反應器已經停機,核分裂也已停止,還會發生燃料熔解的事故?闡述你認為對未來核能發電的發展影響。(10 分)
一、【題組】⑴設一跨接於 8 μF 電容器上的電壓值如圖一所示,試求通過此電容器之電流值。(10 分)
【題組】 ⑵若在 1 ms 之內,磁通量均勻變化而感應的線圈電壓為 100 V,當相同的磁通量改變發生在 0.1 秒內,則將產生多少感應電壓?(10 分)
二、【題組】⑴下圖二,當開關S在t=0 閉合且電路已達穩態後,求電源電流IT之值。(10 分)
【題組】 ⑵試求圖三電路之等效電感值LT。(10 分)
三、有一電路如圖四所示,試求出 6 Ω 電阻器所吸收之功率。(20 分)
四、試求圖五中,電壓 V(t)之值為多少?(20 分)
五、試求圖六 a、b 兩端點左側電路之戴維寧等效電路及電流相量 I 之值。(20 分)
一、請說明二極體在 p-n 接面之空乏區(depletion region)如何形成?同時說明二極體加順向偏壓及反向偏壓時空乏區之變化。(20 分)
二、假設NMOS元件在閘極及源極加適當VGS 電壓,同時在汲極及源極加適當VDS 電壓,讓元件導通於三極管區(triode region),然後VDS再增加時,其IDS電流的變化為何?同時說明其原因。
三、下圖所示之反饋電路,其中兩個電晶體的特性相同,同時皆有I = 1 mA之理想電流偏壓,電晶體工作於VOV(overdrive voltage)= 0.2 V,另外Vt(threshold volt
【題組】 ⑵Af(Af = Vo/ Is)、Rin及Rout之值。(10 分)
四、請說明如何調整巴特沃濾波器(Butterworth filters)參數以得到所需之Amin及過渡帶(transition band)?(20 分)
五、下圖所示為共源級電路之等效電路,其中Cgs = 3 pF,Cgd = 0.2 pF,CL = 2 pF,gm = 5 mA/V,Rs = 10 kΩ,R1 = 10 kΩ,R2 = 10 kΩ,R
【題組】 ⑵ 3 dB頻率fH之值。(10 分)
一、請首先利用跨期消費理論模型突顯:金融資本市場的存在有助於儲蓄者與借款者福利(或效用)水準的提升;然後,利用上述模型探討利率上漲是否會導致儲蓄者的儲蓄意願提升;最後,再利用上述模型導引儲蓄者的可貸資