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2. 如圖(二)已知電晶體=0.8V，可近似 0V，希望電晶體工作在飽和區的條件為?(A) (B)(C)(D)(E)一律給分

4.如下圖(2)所示，當開關 S 切入瞬間，AB 線圈因而感應電動勢，兩端之電位關係為何？ (A)A 端電位高於 B 端 (B)B 端電位高於 A 端 (C)A、B 兩端電位相等 (D)電位之高低無法

3.如下圖(1)所示之等效電路，則 E 之值為何？ (A)4V (B)6V (C)8V (D)10V

2.四個規格分別為 1Ω\/1W、1Ω\/2W、1Ω\/4W、2Ω\/4W 的電阻器串聯後，相當於幾歐姆幾瓦的電阻器？ (A)4Ω\/4W (B)4Ω\/5W (C)5Ω\/4W (D)

6. 下列選項何者具有除頻的功能？ (A)(B)(C)(D)

5. 如圖所示，若 Q3Q2Q1Q0之初始值為 0101，當 CLK(clock)輸入 5 個脈波後， Q3Q2Q1Q0的輸出為何？ (A) 0100 (B) 1101 (C) 0010 (D) 10

4. 設計一個可計數 1000 個狀態的漣波計數器，最少需要使用幾個正反器？每個正反器的延遲時間均為 5 ns，則此計數器所能工作的最高頻率為 (A)11 個正反器，20 MHz (B)11 個正反器

3. 求下圖的輸出函數 F 的最簡式為何? (A) ABC̅+ C̅D + A̅D (B) A̅B̅C + C̅D + BC̅ (C) A̅C + B̅C + C̅D (D) AC̅+ BC̅ + C

2. 下列敘述何者正確？ (A)(B) (C)(D)

1. 某安培表與0.5Ω電阻並接後，其測量範圍提高為原來的21倍，則此安培表的內阻為？ (A)10 (B)9.5 (C)4.5 (D)0.0025 Ω。

1. 將 10 V 峰對峰值的正弦波電壓施加於矽二極體和串聯電阻的兩端，則跨於二極體上最大的電壓為？ (A) 9.3 V (B) 10 V (C) 0.7 V (D) 5 V

1. 如圖(一)已知 D1、D2 均為理想二極體，求 V0=?(A)0V (B)2.5V (C)3.33V (D)5V

1.某金屬導線之截面積為 2.5cm2，導線中的電子密度為，電子在導線中移動的平均速度 1cm\/s，試求該導線的流過電流為多少安培？ (A)4.8A (B)3.2A (C)1.6A (D)0.8A

1. 任何邏輯電路可用 NOR 和 NAND 閘合成，若要組成 NOT 閘至少需要 a 個 NOR 閘，組成 2 輸入 OR 閘至少需要 b 個 NAND 閘，組成 4 輸入的 NOR 閘至少需要 c

2. 如下圖所示為多範圍直流電壓表,電表之Rs=1kΩ,Ifs=50μA,使電壓表分別量測10V及50V,則R2值應為 多少? (A)199KΩ(B)800KΩ(C)999KΩ(D)900KΩ

3.如下圖所示電路,試利用迴路電流法求I2為何? (A)2A (B)1A (C)3A (D)5A

4.如下圖所示電路,Q1=+36x10-9庫倫,Q2=-3 2 X10-9庫倫,兩電荷相距10m,試求A點的電場強度為多 少(牛頓\/庫倫)? (A)9 (B)-9 (C)126 (D)27

5. 如下圖所示電路,其中L1=L2=5H,兩者之間合係數為0.8,則兩電感器所儲存的總能量為多少焦耳? (A)25 (B)225 (C)125 (D)75

6.如下圖所示電路,磁通密度B=2 韋伯\/平方公尺,若導體向右移動的速度V=10公尺\/秒,則導體的感應電動勢 大小為何（伏特）? (A) 50√3 (B)5√3 (C)10 (D)10√3

7.如圖所示,若電路已穗態,當t=0時,開關S由1到2則VR值為多少伏特? (A)-150e-200t (B) 50 - 150e-200t (C) 50e-200t (D) 50 + 150e-20

8.有一正弦波電屋,頻率為50Hz,當時·達到最小值-10V,則此電壓方程式為何?

9. 某一交流系统,電壓為100sin100t負載消耗的平均功率為3KW,功率因數為0.6(滯後),若要提高系統的 功率因數至1.0,則需並聯多少容量的電容器? (A)8000μF (B)4000μF

10.如下图所示RLC串並联交流电路,若試求電流為何? (A)2∠53° (B) 2∠233* (C) 4∠53*(D)-2∠53* A

11.如圖所示電路,若輸出RL=5KΩ之負栽,且連波因數不得高於0.005,則濾波電容C最小值應為少 (A)48μF (B)96μF (C)192μF (D)240μF

12.如下圖所示電路,若稽納二體(Zener Diode)之崩潰電壓 Vz=6V,崩潰膝點電流Izk=1mA,最大崩潢電 流Izm=16mA,忽略稽納電阻,在正常穩壓狀態維持Vo=Vz=6V,則負載電

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