11. 下列對於半導體之敘述,何者錯誤? (A)當加順向偏壓於 PN 接面時,空乏區外存在擴散電容 (B)當加小於崩潰電壓之逆向偏壓於 PN 接面 時,仍有少數載子流動,此為逆向飽和電流 (C)當加逆
11. 如下圖所示之電路, = 1000, Is 為理想電流源, β = 99,熱電壓(thermal voltage) = 26mV,歐力電壓(Early voltage) VA =∞。若 Rout
22. 如圖所示電路節點 V1 及 V2 的電壓值,各為多少 V? (A) V1=6V ,V2=4V (B) V1=6V,V2=10V (C) V1 =7V ,V2 =4V (D) V1 =7V,V2
26. 兩個法拉數標示不清之電容器 C1及 C2,已知其均可耐壓 600V,某甲先將它們完全放電並確定其端電壓為0V,再以1mA 之定電流源分別對其充電 1 分鐘,結果其端電壓各為 V1 = 100V