123. 作為運算放大器的輸入級的電路,為下列何者?(A)箝位電路(B)差動放大電路(C)史密特觸發電路(D)取樣電路。
124. 下列何者不是推挽式放大器的特性?(A)具有抵銷偶次諧波失真的作用(B)具有抵銷電源漣波的作用(C)可工作在 C 類放大(D)輸出功率為兩個主動元件輸出之和。
125. 下列何種放大器將產生交叉失真?(A)A 類(B)AB 類(C)B 類(D)C 類。
126. 帶通濾波器的中心頻率為 fr,品質因素為 Q 則其頻帶寬度 BW 為下列何者?(A)fr/Q(B)fr/Q (C)fr/Q (D)fr/Q 。
127. 負回授放大器的回授率為 0.2,而未回授前的增益為 100,則此負回授放大器的增益為何?(A)4.76(B)5.26(C)10(D)20。
128. 放大器加入負回授的作用為何?(A)增加穩定度(B)提高增益(C)產生振盪(D)增加功率。
129. 放大器之輸入阻抗將因負回授而有何變化?(A)必然增大(B)必然減小(C)視回授型態而定(D)不受影響。
130. 使電晶體負回授放大器的輸入電阻及輸出電阻皆減少的回授電路,為下列何者?(A)電壓串聯(B)電壓並聯(C)電流串聯(D)電流並聯。
131. 正反器係由下列何種電路所組成?(A)無穩態多諧振盪器(B)單穩態多諧振盪器(C)雙穩態多諧振盪器(D)間歇振盪器。
132. 計算負載上的功率消耗,需採用何種交流電壓值?(A)最大值(B)平均值(C)有效值(D)瞬間值。
133. SCR 觸發導通的瞬間,須在電路中加入何種元件來抑制過大的 di/dt?(A)電感器(B)電阻器(C)電容器(D)二極體。
134. 電感性直流負載的控制電路中,需在負載兩端並聯何種元件來消除負載所產生的反電勢?(A)電感器(B)電阻器(C)電容器(D)二極體。
135. 稽納二極體的穩壓電路中,若 VI 為 40V~60V,RL 為 500Ω~1000Ω,則稽納二極體在何種情況下功率消耗最大?(A)VI =60V、RL =500Ω(B)VI =60V、RL
136. 電晶體放大器的 h 參數表示為:Vi =hi Ii +hr Vo ,Io =hf Ii +ho Vo ,而其 RL =-Vo /Io ,此電路之電流增益 Af =-Io /Ii 為何?(A)
137. 稽納二極體的稽納崩潰敘述,下列何者錯誤?(A)大多發生在高摻雜的二極體(B)崩潰電壓一般小於 5V(C)若發生崩潰現象則不能使用(D)崩潰現象係由於高電場所造成。
138. 下列何種電晶體放大器的電壓增益和電流增益皆大於 1?(A)共射極(B)共集極(C)共基極(D)達靈頓。
139. 關於 N 通道 MOSFET 的敘述下列何者錯誤?(A)增強型做放大器使用時VGS 加正電壓(B)空乏型閘極開路時,在源極及汲極間加上電壓,將不導通(C)空乏型與增強型皆採用 P 型基底(D
140. 下列敘述何者錯誤?(A)MOSFET 係雙載子元件(B)MOSFET 在 IC 的製程較 BJT 電晶體簡單(C)在 IC 的製造時常以電晶體取代負載電阻(D)MOSFET 係電壓控制元件。
複選題:141. 下列元件中,何者是靠電流來驅動?(A)CMOS(B)BJT 電晶體(C)LED(D)矽控整流器。
142. 下列哪些是 MOSFET 的分類用語?(A)n-MOS(B)p-MOS(C)BJT-MOS(D)CMOS。
143. 於一無線電波,如其波長為 λ,頻率為 f,速度為 c,則三者的關係為下列何者?(A)λ=f.c(B)c=f.λ(C)f=c / λ(D)c=f / λ。
144. 電晶體之 IC =2mA,IE=2.02mA,下列各值何者正確?(A)IB=2mA(B)βdc= 100(C)βdc= 1000(D)IB=0.02mA 。
145. 電晶體當作電子開關時,它是工作於那些操作區?(A)截止區(B)線性區(C)飽和區(D)動作區。
146. CMOS 的敘述,下列何者正確?(A)由 n-MOS 與 p-MOS 組成(B)為互補型 MOS(C)可當開關使用(D)是由電流控制。
147. 對於霍爾效應的說明,以下何者正確?(A)判斷半導體型態材料(B)可由霍爾電壓(VH)求載子濃度(C)可由霍爾電壓(VH)求電流(D)測試時,是半導體材料置放於磁場中。