39. 用 2 的補數法表示-115 應為下列何者?(A)10001100(B)10001101(C)10110011(D)10110100。
40. 十六進位數 3FC 轉換成十進位數,等於多少?(A)1019(B)1020(C)1035(D)1036。
41. 全加法器的輸入為 A、B 且進位輸入為 Ci,則進位輸出 Co 之邏輯函數=?(A) (B) (C) (D) 。
27. 如下圖電路所示,若達穩態時之總電流 I 為何? (A)2.4A(B)3A(C)4A(D)4.25A。
102. 關於空乏型 N 通道 MOSFET 的敘述,下列何者敘述錯誤?(A)可當空乏型使用,亦可當增強型使用(B) 為負電壓(C)主要載體為電洞(D) VGS=0V 時,通道會導通。
103. 放大電路的輸入電壓為 1mV,輸出電壓為 10V,則此放大電路的電壓增益為多少 dB?(A)20(B)40(C)60(D)80。
104. 積體電路的設計常以主動元件代替電阻負載,其原因為何?(A)主動元件的動態電阻較小(B)可使電路的頻率響應更寬(C)電阻負載的體積較大(D)可增加輸入阻抗。
105. 電晶體的 rπ =2.5kΩ、gm =40 mA/V,則其 β 值為多少?(A)16(B)32(C)100(D)200。
106. 在 IC 的製程中 MOSFET 和 BJT 電晶體比較,下列那一個條件非 MOSFET 所具有的優點?(A)輸入阻抗高(B)體積小(C)消耗功率低(D)電壓放大倍數高。
107. MOSFET 若欲作線性放大器使用時,需工作於何種區域?(A)順向主動區(B)飽和區(C)非飽和區(D)截止區。
108. 欲得到差動放大器的輸入直流偏移電壓,可將輸出直流偏移電壓除以何者?(A)gm (B)CMRR(C)Acm (D)Ad 。
109. 下列元件何者具有負電阻區之特性?(A)蕭基二極體(B)光二極體(C)透納二極體(D)稽納二極體。
110. 哈特萊振盪器,電容量從 l00pF 調整到 400pF,且振盪線圈的電感量為 900μH,則其振盪的頻率範圍為何?(A)265kHz 至 530kHz(B)265kHz 至 1060kHz(
111. 下列何種電路可提供一連串的脈波輸出?(A)無穩態電路(B)單穩態電路(C)雙穩態電路(D)樞密特觸發電路。
112. N 型半導體中少數載體係下列何者?(A)離子(B)質子(C)電洞(D)電子。
113. 電晶體之 β=50,測得基極電流 IB =0.5mA、集極電流 IC =10mA,則此電晶體工作於何區?(A)工作區(B)飽和區(C)截止區(D)游離區。
114. 下列何者為達靈頓電晶體的特性?(A)輸入阻抗低、輸出阻抗高(B)輸出阻抗低、電流增益小於 1(C)輸入阻抗高、電壓增益大於 1(D)電壓增益小於 1、電流增益大於 1。
115. IC 內的電晶體製造時,何者的雜質濃度最高?(A)集極(B)基極(C)射極(D)基底。
116. 關於電晶體的漏電電流敘述,下列何者正確?(A)ICEO =β ICBO (B)ICBO =β ICEO (C)ICBO =α ICBO(D)ICBO = α ICEO 。
117. 在 IC 的製造時常以電晶體取代負載電阻,下列何者不是其取代的原因?(A)使 IC 的體積減小(B)使輸入阻抗增加(C)使小訊號電壓放大倍數增加(D)使輸出阻抗增加。
118. BJT 差動放大器的輸出電壓若欲維持±1%的誤差,則輸入電壓最大需保持在多少電壓範圍之內?(A)±13mV(B)±18mV(C)±26mV(D)±36MV。
119. 橋式整流電路中二極體的逆向破壞電壓,需為外加電壓最大值的幾倍?(A)1 倍(B)2 倍(C)3 倍(D)4 倍。
120. 下列何種放大器的失真度最嚴重?(A)A 類(B)AB 類(C)B 類(D)C 類。
121. 電晶體放大電路的敘述,下列何者錯誤?(A)電流增益最大的是共基極(B)電壓增益最小的是共集極(C)輸入阻抗最大的是共集極(D)輸入阻抗最小的是共基極。
122. 電晶體開關電路中的各種時間延遲,以何者的延遲最大?(A)上昇時間(B)延遲時間(C)下降時間(D)儲存時間。