32. 在下列何種溫度時,Pt100 溫度感測器的電阻值為 100Ω?(A)0℃(B)20℃(C)25℃(D)100℃。
33. 下列對臨界溫度熱敏電阻的說明何者為正確?(A)具有正溫度係數之特性(B)於臨界溫度範圍以外時,對溫度之反應很大(C)只針對某一特定溫度範圍時,其電阻值會變化大(D)於臨界溫度範圍以外時,電阻的
34. 磁敏電阻是一種將磁通密度大小轉換成下列何種電特性之元件?(A)電壓變化(B)電流變化(C)電阻變化(D)頻率變化。
35. 霍爾(Hall)感測元件為一幾端子之元件?(A)2 端子(B)3 端子(C)4 端子(D)5 端子。
36. 光電晶體與光電二極體何者對光的靈敏度較高?(A)光電晶體(B)光電二極體(C)兩者相等(D)無法比較。
37. 光電晶體與光電二極體何者對光的反應速度較快?(A)光電晶體(B)光電二極體(C)兩者相等(D)無法比較。
38. 下列何者為條碼閱讀機中常使用的感測裝置?(A)光耦合器(B)光遮斷器(C)光反射器(D)光控 SCR。
39. 下列何者為光電晶體與 CdS 的反應時間?(A)光電晶體為 ms 級、CdS 為 μs 級(B)光電晶體為 μs 級、CdS 為ms 級(C)兩者均為 ms 級(D)兩者均為 μs 級。
40. 下列何者不是發光輸出的元件?(A)發光二極體(B)燈泡(C)液晶顯示器(D)陰極射線管。
41. 下列何者為熱能與電能的轉換元件?(A)電池(B)日光燈(C)熱耦(D)光電管。
42. 下列何者為二次電池?(A)水銀電池(B)鋰電池(C)鹼性乾電池(D)鎳鎘電池。
43. 下列元件何者具有負電阻區之特性?(A)變容二極體(Varactor)(B)光二極體(C)透納(Tunnel)二極體(D)齊納(Zener)二極體。
44. 霍爾(Hall)元件是一種將磁通大小轉換成下列何種電特性之元件?(A)電壓變化(B)電流變化(C)電阻變化(D)頻率變化。
45. 矽電晶體之VCE(sat) 值約為下列何者?(A)0.2V(B)0.6V(C)0.8V(D)2.0V。
46. 矽電晶體之VBE(sat)值約為下列何者?(A)1.2V(B)0.8V(C)0.5V(D)0.3V。
47. 某一電晶體之 α 值為 0.96,則其 β 值應為下列何者?(A)24(B)36(C)48(D)60。
48. 某一電晶體之 β 值為 49,則其 α 值應為下列何者?(A)0.92(B)0.94(C)0.96(D)0.98。
49. 電晶體之ICEO 與ICBO 的關係,下列何者為正確?(A)ICEO=(β-1)ICBO (B)ICEO=(β+1)ICBO(C)ICEO=(α+1)ICBO(D)ICEO=(α-1)ICBO
50. 下列對任一電晶體之崩潰電壓(BV)的敘述何者為正確?(A)BVEBO>BVCBO (B)BVEBO>BVCEO(C) BVCEO>BVCBO(D)BVCBO>BVCEO
51. 下列對電晶體的敘述何者為正確?(A)集射極電壓愈大,則基極有效寬度愈大(B)集射極電壓愈大,則集基極逆向偏壓 |VCB|愈小(C)集射極電壓愈大,則基射極順向偏壓|VBE|愈小(D)集射極電壓
52. 電晶體之 β 值會隨溫度的上升而有下列何種變化?(A)下降(B)上升(C)不變(D)視工作點而定。
53. 下列敘述何者為正確?(A)FET 為電流控制元件(B)FET 為雙載子元件(C)BJT 為雙載子元件(D)BJT 為電壓控制元件。
54. 下列敘述何者為正確?(A)FET 的熱穩定性較 BJT 差(B)FET 的輸入阻抗較 BJT 小(C)FET 的雜訊免疫力較 BJT高(D)FET 的操作速率較 BJT 快。
55. 下列何者可作為自動頻率控制用的元件?(A)齊納(Zener)二極體(B)透納(Tunnel)二極體(C)肖特基(Schottky)二極體(D)變容二極體(Varactor)。
56. SCR 之閘極控制電路和負載使用相同的交流電源時導火延遲角(firing delay angle)祇能在下列何者間調整?(A)-90°~0°(B)90°~180°(C)0°~180°(D)0°