101. 如圖所示電路,當開關 S 閉合後,電流應為多少? (A)10 (B)8 (C)5 (D)0 。
121. 下列有關電洞的敘述何者正確? (A)電子脫離原子軌道所留下的空位 (B)帶正電荷之離子所留下的空位 (C)帶負電荷之粒子 (D)正電荷脫離原子軌道所留下之空間 。
122. 下列敘述何者正確? (A)當溫度升高時,一般金屬導體電阻下降 (B)在矽半導體當溫度上升時,其電阻下降 (C)在 P 型半導體裡,導電的載子主要是電子 (D)在 N 型半導體裡,電子的濃度將
123. 下列哪種情形,二極體 PN 接面出現的空乏區會更大 (A)斷路時 (B)短路時(C)外加逆向偏壓時 (D)外加順向偏壓時 。
124. 矽材質二極體,其兩端的壓降隨溫度變化的改變量約為 (A)+25mV/°C (B)+2.5mV/°C (C)-25mV/°C (D)-2.5mV/°C 。
125. 矽質材料二極體串聯一個 4KΩ的電阻,接上一 12V 的順向偏壓,若考慮障壁電位,則電阻兩端的電壓為 (A)11.3V (B)11.6V (C)11.7V (D)12V 。
126. 60HZ 的電源經全波整流後所得之漣波頻率為 (A)240Hz (B)30Hz (C)60Hz (D)120Hz 。
127. 雙極性接面電晶體(BJT)是屬於下列何者控制的元件? (A)電磁 (B)電壓(C)電流 (D)光藕合 。
128. 下列最接近理想的直流電源的漣波因數是? (A)0.01% (B)0.001% (C)0.1% (D)1% 。
129. 場效電晶體(FET)的特性下列何者正確? (A)電流控制元件 (B)雙極性元件(C)汲源極之阻抗很大 (D)單載子元件 。
130. 場效電晶體(FET)與雙載子電晶體(BJ T)相比,下列何者不是的主要優點? (A)輸入阻抗極高 (B)操作速度比較快 (C)不易受輻射的影響 (D)熱穩定度較佳 。
131. 下列何者元件的輸入電阻最大? (A)雙極性電晶體 (B)接面型場效電晶體 (C)金氧半場效電晶體 (D)都一樣大 。
133. 相較於 TTL 電路,CMO S 電路的特性,何者錯誤? (A)雜訊免除性佳 (B)製作容易、價格低廉 (C)消耗功率極小 (D)交換速率較快 。
134. 直流電源供應器輸出之直流電壓為 30V,漣波電壓的有效值為 30mV,則漣波因數為多少? (A)0.1% (B)1.5% (C)3% (D)10% 。
132. 欲使一 N 通道空乏型 MO SFET 操作於截止區,則閘極(G)對源極(S)應加(A)負電壓 (B)正電壓 (C)零電位 (D)正負電壓皆可 。
135. 下列敘述哪一項正確? (A)1KΩ和 5.1KΩ的電阻器並聯後的等效電阻會大於 5.1KΩ (B)0.1uF 和 10uF 的電容器並聯後的等效電容會大於 10u F (C)8.2uH 和
136. 理論上同時出現在差動放大器兩個輸入端的雜訊 (A)是一種差模訊號 (B)會被消除 (C)會被放大 (D)會疊加出現在輸出端上 。
137. 某變壓器初級線圈和次級線圈的匝數比為 10:1,初級線圈接上 A C110V,則次級線圈輸出電壓是 (A)9V (B)10V (C)11V (D)20V 。
138. 稽納二極體保持在額定之稽納電壓時 (A)電流大小不容許有任何的擾動現象(B)電流大小不受其額定輸出功率的限制 (C)電流是由陽極 A 往陰極 K 方向流動 (D)應滿足其逆向偏壓的條件 。
139. 下列何者不是光敏電阻的特性? (A)光敏電阻上的皺褶圖案為其受光面 (B)入射受光面的光源越強,其電阻值就越大 (C)光敏電阻上的皺褶越長,其原生的電阻值就會越低 (D)光敏電阻的誤差範圍和
140. 共射、共集、共基三種 BJT 電晶體放大電路,下列敘述何者不正確 (A)共射放大器功率增益趨近於 1 (B)共集放大器電壓增益趨近於 1 (C)共基放大器電流增益趨近於 1 (D)對於電壓訊
141. 由 BJT 電晶體構成之差動放大器可以視為是哪兩種放大器的組合 (A)共射與共集放大器 (B)共射與共基放大器 (C)共集與共基放大器 (D)射極隨耦器與共射放大器 。
142. BJT 電晶體可以工作在截止區、線性區、和飽和區。下列哪一項關係式在此三個工作區中都是成立的 (A) (B) (C) =0.2V (D)
102. 如圖所示電路,若電流表 A 指示值變大,下列何種現象是正確原因? (A)R2 被短路 (B)R2 斷路 (C)R1 斷路 (D)電源電壓 E 變小
103. 如圖(a)(b)所示,每只電燈皆為 12V,10W,則此六只電燈之明亮程度順序為 (A)A=B>C>D>E>F (B)C>A=B>F>D=E (C)C>F>A=B>D=E(D)C>A=B>