20. 如圖(九)所示之電路,M1電晶體之臨界電壓(Threshold Voltage )VT =1V、K=8mA/V2,M2電晶體之臨界電壓(Threshold Voltage )VT =2V、K=
21. 一 P 通道 JFET,閘極電壓 = 10 V,源極電壓 = 5 V,汲極電壓 = 0 V,V GS ( off ) = 4 V,IDSS=16mA,則ID =?(A) 0mA (B) 4mA
22. 一增強型P通道MOSFET(E-PMOS)之臨界電壓VGS(t)=- 1V,汲極電壓為4.2V,源極電壓為5V,閘極電壓為0V,則其工作模式為何?(A) 截止區 (B) 飽和區(定電流區)(C
23. 下列敘述何者錯誤?(A) FET當開關使用,是分別工作在歐姆區與截止區(B) FET當放大器使用,是工作在飽和區(C) JFET的正常操作條件為閘極和源極間的PN接面順偏、閘極和汲極間的PN接
25. 如圖(十一)所示之電路,MOSFET的參數K=0.5mA/V2、臨界電壓(Threshold Voltage )為2V,求其汲極電流ID與閘-源極電壓VGS最接近下列何值? (A) 3.65m
9. 有關光二極體內部阻抗的敘述,下列何者正確?(A) 在逆向偏壓時,隨著光的強度增強而增加(B) 在順向偏壓時,隨著光的強度增強而增加(C) 在逆向偏壓時,隨著光的強度增強而減少(D) 在順向偏壓時
26. 如圖(十二)所示電路,已知JFET之IDSS=16mA,截止電壓(Cutoff Voltage )VGS( off)=- 4V,汲極電阻參數rd=50KΩ,則其小訊號電壓放大vo / vi約為