1. 要使N通道增強型MOSFET導通,則VGS應加哪一種偏壓?(A) 0V (B) 負電壓(C) 小於臨界電壓之正電壓 (D) 大於臨界電壓之正電壓
2. 某一N通道空乏型MOSFET的 為多少?(A) −2.5V (B) −1.5V (C) 1.5V (D) 2.5V
3. 下列何者適用於阻抗匹配?(A) CS 放大器 (B) CD 放大器 (C) CG 放大器 (D) CB 放大器
4. 圖(一)所示為電晶體偏壓電路的直流負載線,電晶體作為放大電路設計時,若要求輸出信號的失真最小,則工作點應設計在直流負載線上之何點? (A) A(B) B(C) C(D) D
5. 關於二極體之敘述,下列何者正確?(A) 二極體的英文為Transistor(B) 電流只能從陰極流向陽極(C) 為非線性元件(D) 溫度每上升攝氏1度,切入電壓約上升1mV到2.5mV
6. MOSFET電路加入正常工作偏壓VDD,若VGS -ID特性如圖(二)所示,VT為臨界電壓(threshold voltage ),則MOSFET的型式,下列敘述何者正確? (A) P通道空乏型
7. 共閘極放大器的特性為下列何者?(A) 高輸入阻抗,低輸出阻抗 (B) 高輸入阻抗,高輸出阻抗(C) 低輸入阻抗,高輸出阻抗 (D) 低輸入阻抗,低輸出阻抗
8. 圖(三)所示之電路,已知MOSFET之互導 = 2mS,則其電壓增益為多少? (A) – 200(B) – 100(C) – 50(D) – 40
9. 電晶體電路小信號分析時,輸入與輸出耦合電容器的電容抗,下列敘述何者正確?(A) 視為短路 (B) 與外加信號電壓大小成正比(C) 與流過電流大小成反比 (D) 視為開路
10. 電晶體操作於飽和區(saturation region )時,其接面偏壓特性,下列敘述何者正確?(A) B-C 接面順向偏壓,B-E 接面順向偏壓(B) B-C 接面逆向偏壓,B-E 接面逆向
11. 有關運算放大器的應用,下列何者使用正回授?(A) 反相放大器 (B) 史密特觸發電路 (C) 電壓隨耦器 (D) 非反相放大器
12. 若把電晶體的E 與C 對調使用,則電晶體的電流增益與耐壓會產生何種變化?(A) 增大 (B) 不變 (C) 降低 (D) 不一定
13. 關於稽納二極體特性及應用的敘述,下列何者正確?(A) 逆向特性與一般二極體相同 (B) 逆向崩潰時兩端電壓約為定值(C) 崩潰時逆向電流維持定值 (D) 應用於發光電路
14. 下列有關RC相移振盪器之敘述,何者錯誤?(A) R或C值愈大,振盪頻率愈大 (B) 啟動振盪條件為Aβ 略大於1(C) 至少需三節RC電路來產生180 °相移 (D) 輸出為正弦波
15. 圖(四)所示之電路是哪一種濾波器的頻率響應曲線? (A) 低通濾波器(B) 高通濾波器(C) 帶通濾波器(D) 帶阻濾波器
16. 下列關於共汲極放大電路之敘述,何者正確?(A) 又稱為源極隨耦器 (B) 電壓增益甚高(C) 輸出信號與輸入信號相位相反 (D) 電流增益小於1
17. 關於發光二極體之敘述,下列何者正確?(A) 具有雙向導通性(B) 英文簡寫為LCD(C) 把光能轉化成電能(D) 發光的波長取決於製造所用的半導體材料
18. 一般的小型LED,發光時允許持續通過的電流大小約為何?(A) 1mA (B) 20mA (C) 500mA (D) 20A
19. 關於矽控整流器(SCR)能否由截止變成導通的敘述,下列何者正確?(A) 陰極電壓高於陽極電壓,且閘極電壓高於陰極電壓才能導通(B) 陰極電壓高於陽極電壓,且閘極電壓高於陽極電壓才能導通(C)
20. 圖(五)所示為一階主動低通濾波器,設R =1kΩ ,C = 0.05μF, R1 = 5kΩ, R2 =100kΩ,則其電壓增益及截止頻率分別為多少? (A) 20,6.28 kHz (B)
21. 圖(六)所示之電路,若MOSFET之 = 20mS,則此電路之電壓增益約為多少? (A) 0.39(B) 0.98(C) 20(D) 40
22. 圖(七)所示之電路,若R1=1.5R2 ,則 之工作週期約為多少? (A) 20% (B) 40%(C) 60%(D) 80%
23. 圖(八)為某運算放大器電路之輸入電壓Vin及輸出電壓 波形,則該電路為下列何者? (A) 非反相微分器(B) 反相微分器(C) 非反相積分器(D) 反相積分器
24. 如圖 ( 九 ) 所示之電路,輸入電壓 V1 為正弦波,若R1= R2=R ,C1= C2=C ,當輸出電壓 V2 與輸入電壓 V1 相位相同時, V2 等於下列何者? (A) V1(B) (
25. 只要輸入有一個為0,輸出即為1的為下列何者?(A) AND Gate (B) OR Gate (C) NAND Gate (D) NOR Gate