5 有一運算放大器如下圖所示，已知其轉移方程式（transfer function）為 V3=1002×V2−998×V1，請問其共模排斥比 CMRR（common-mode rejection ra
7 設計類比電路時，若採用 NPN 或 PNP 雙極性接面電晶體（BJT），一般情形最常使用到 BJT 的那一種 偏壓模式？ (A)飽和模式（Saturation mode） (B)線性模式（Line
8 有一矽雙極性接面電晶體（Si-BJT）電路及輸入接腳 的電壓波形如下所示， ，R1 = R2 = 1 kΩ，R3 = R4 = 100 Ω， ，電晶體電流增益 。試研判輸出接腳 在高準位輸出（Vo
28 如圖所示的電晶體共射極放大器，輸出交流信號的振幅為 0.6 V，β 及 R1、R2 均變成原來的 1.5 倍，電晶體其他特性維持不變，輸出交流信號的振幅變為多少？以上改變仍使放大器工作在不失真放
29 若電晶體操作於順向主動區（forward active region），電流增益值β =50，爾利電壓（Early voltage, VA）= 10 V，gm = 10 mA/V，熱電壓（the
32 如圖為一共源（CS）放大器的簡圖（其偏壓電路未示）。若電晶體的轉導參數為 gm，輸出電阻為 ro→∞，則此放大器的電壓增益為何？ (A)-gm(RD+RS)(B)-gmRD/(1+ gmRS)(
33 如圖所示為以電阻 R=5 kΩ、Rf =7.5 kΩ 及電感 L1 =2 mH、L2 所構成的韋恩電橋（Wien-bridge）振盪電路，當等幅振盪啟動時，決定其振盪頻率 ω 約為多少 rad/
34 直接耦合串級放大電路於未耦合前第 1 級放大電路的集極偏壓電流為 1 毫安培（1 mA），如圖決定耦合後第 2 級放大電路的電壓增益大小（ 的大小）？其中 Q2之 β2=99 及 =0.8 V，
2 某增強型 NMOS 場效電晶體的 ，今若其源極（Source）電壓 0.5 V，閘極（Gate）電壓 2.5 V，汲極（Drain）電壓 1.0 V，則此電晶體工作在那一區？ (A)飽和區（Sat
4 如圖為一齊納二極體電路，此齊納二極體流過的電流必須大於 0.2 mA 才能維持在崩潰的狀態。假若齊納二極體崩潰時的內阻可以忽略，問負載電阻 最少應為多少？ (A) 0.5 kΩ (B) 1.1 k